[发明专利]一种储能变流器I型三电平结构直并功率模块在审
| 申请号： | 202011085086.4 | 申请日： | 2020-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN112104238A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 陈琳琳;郭鹏亮;贺宗攀;张自学 | 申请（专利权）人： | 四川科陆新能电气有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/00 | 分类号： | H02M7/00;H02M7/483;H02M7/493;H05K7/14;H05K7/20;H05K5/02 |
| 代理公司： | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 610046 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 变流器 电平 结构 功率 模块 | ||
1.一种储能变流器I型三电平结构直并功率模块，其特征在于，所述储能变流器I型三电平结构直并功率模块包括两个单功率模块，每个单功率模块包括单面无侧壁的凹槽状壳体、设置于凹槽状壳体内部的IGBT固定平台、设置于凹槽状壳体内部的功率模块组件和用于凹槽状壳体顶部封装的盖板（1）；其中：所述功率模块组件包括IGBT功率组件（3）、IGBT驱动板（4）、散热器（5）、直流滤波组件；所述直流滤波组件包括薄膜电容（7）和叠层母排，底层母排（2）设置于薄膜电容（7）和盖板（1）之间，所述IGBT功率组件（3）和IGBT驱动板（4）固定设置于IGBT固定平台，所述薄膜电容（7）与IGBT固定平台并排设置，并通过设置于壳体无侧壁处设置的散热器（5）提高单功率模块散热效率。
2.如权利要求1所述的一种储能变流器I型三电平结构直并功率模块，其特征在于，所述IGBT功率组件（3）采用I型三电平结构，所述两个单功率模块通过IGBT功率组件内的I型三电平结构直并连接，将两个包含IGBT功率组件（3）的单功率模块直并为一路。
3.如权利要求1所述的一种储能变流器I型三电平结构直并功率模块，其特征在于，所述薄膜电容（7）上接触面、IGBT功率组件（3）上接触面、IGBT驱动组件上接触面和散热器（5）上接触面处于同一平面。
4.如权利要求3所述的一种储能变流器I型三电平结构直并功率模块，其特征在于，所述叠层母排采用五路叠四层的平面结构，配合IGBT并联结构，实现IGBT均流设计。
5.如权利要求1所述的一种储能变流器I型三电平结构直并功率模块，其特征在于，所述IGBT固定平台与壳体底面之间连接设置有支撑板，所述支撑板设置于靠壳体内侧壁两侧，支撑板与IGBT固定平台构成便于散热的腔体空间。
6.如权利要求5所述的一种储能变流器I型三电平结构直并功率模块，其特征在于，所述散热器（5）设置于腔体空间的壳体无侧壁方向侧，用以通过腔体空间对功率模块组件进行散热。
7.如权利要求1所述的一种储能变流器I型三电平结构直并功率模块，其特征在于，所述单功率模块还包括贴附设置于IGBT驱动板（4）的铜排组（6），用以提高功率模块组件的散热效率。
8.如权利要求1所述的一种储能变流器I型三电平结构直并功率模块，其特征在于，所述盖板（1）设置有散热孔。
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