[发明专利]太阳能电池的制备方法及太阳能电池

说明书

本申请提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，所述制备方法包括对硅基底进行表面处理后，进行正面扩散；再于硅基底的背面依次制备隧穿层与非晶硅层；然后进行去绕镀，清洗去除绕镀的非晶硅，并保留所述硅基底正面的BSG层；高温退火后进行表面清洗，去除BSG层，再依次进行镀膜与金属化，得到相应的太阳能电池。上述制备方法在高温退火前进行去绕镀清洗，所述非晶硅层未经高温处理，绕镀的非晶硅较容易去除；并且，将BSG层保留至高温退火之后再进行清洗，有效避免扩散层受损，减少产线异常。

技术领域

本发明涉及光伏发电技术领域，特别涉及一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池。

背景技术

近年来，国内外光伏市场对高效太阳能电池的需求不断提高，业内众多厂商也纷纷着力于高效电池的研究与开发。TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化层钝化接触)电池通过在电池表面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层掺杂多晶硅层，能够提高电池表面钝化性能，并可极大地降低金属接触复合电流，有效提升电池的开路电压与短路电流。

上述TOPCon电池制备过程中，先将相应的硅片进行正面硼扩散，再于硅片背面氧化生成一层极薄的氧化硅层，然后，在氧化硅层表面沉积制备一层磷掺杂的非晶硅薄膜。所述非晶硅薄膜通过后续退火过程转变为掺杂多晶硅膜层，激活钝化性能。目前，上述掺杂多晶硅膜层的量产设备很难做到理想的单面镀膜，硅片正面的边缘区域通常都会生成大概0.1～5cm宽的绕镀多晶硅膜层。由于绕镀多晶硅膜层不均匀，且经高温退火处理变得较为致密，去绕镀困难。业内现已公开有一种TOPCon电池的制备方法，先清洗去除绕镀的非晶硅与正面BSG，再进行退火形成背面磷掺杂多晶硅膜层。上述方案中的硅片在后续制程中，其正面缺少BSG作为保护层，可能产生额外的污染与损伤。

鉴于此，有必要提供一种新的太阳能电池的制备方法及太阳能电池。

发明内容

本申请的目的在于提供一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，能够更好地清洗去除硅基底正面绕镀的非晶硅，避免异常受损，提高良率。

为实现上述目的，本申请提供了一种太阳能电池的制备方法，主要包括：

对硅基底进行表面处理；

正面扩散，在硅基底的正面形成扩散层与BSG层；

在硅基底的背面依次制备隧穿层与非晶硅层；

去绕镀，清洗去除绕镀的非晶硅，并保留所述硅基底正面的BSG层；

高温退火；

表面清洗，去除BSG层；

依次进行镀膜与金属化。

作为本申请实施例的进一步改进，所述非晶硅层采用LPCVD或PECVD方法进行原位掺杂沉积制得，在所述非晶硅层沉积的同时进行磷元素掺杂。

作为本申请实施例的进一步改进，所述制备方法还包括在硅基底背面的非晶硅层上制备掩膜层，再进行去绕镀。

作为本申请实施例的进一步改进，所述掩膜层的制备包括采用化学氧化或热氧化或臭氧氧化方法在所述硅基底背面的非晶硅层上生成一层SiO_x膜，控制所述SiO_x膜的厚度介于1～100nm。

作为本申请实施例的进一步改进，所述“去绕镀”步骤是指采用碱溶液或酸溶液对硅基底进行清洗，其中，所述碱溶液的浓度设置为1～10％，温度设置为30～90℃；所述酸溶液为HF与HNO₃混合溶液，且两者浓度配比HF：HNO₃设置为1：20～1：200。