[发明专利]QLC NAND的编码方法与编码装置在审
申请号: | 202011085907.4 | 申请日: | 2020-10-12 |
公开(公告)号: | CN112214172A | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 陈磊;邢冀鹏;吴彬 | 申请(专利权)人: | 北京泽石科技有限公司;泽石科技(武汉)有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 霍文娟 |
地址: | 100085 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | qlc nand 编码 方法 装置 | ||
1.一种QLC NAND的编码方法,其特征在于,QLC NAND包括字线和多个编解码单元,所述字线包括多个页,多个所述页包括低位页、中间位页、高位页和最高位页,所述编码方法包括:
将各所述编解码单元拆分为四个部分,分别为第一编解码单元、第二编解码单元、第三编解码单元和第四编解码单元;
将所述第一编解码单元分布在所述低位页中,将所述第二编解码单元分布在所述中间位页中,将所述第三编解码单元分布在所述高位页中,将所述第四编解码单元分布在所述最高位页中。
2.根据权利要求1所述的QLC NAND的编码方法,其特征在于,将各所述编解码单元拆分为四个部分,包括:
将各所述编解码单元平均拆分为四个所述部分。
3.根据权利要求1所述的QLC NAND的编码方法,其特征在于,所述QLC NAND还包括多个差错检测和修正单元,所述差错检测和修正单元的数量与所述编解码单元的数量相等,所述编码方法还包括:
将多个所述差错检测和修正单元依次分布在各所述第四编解码单元之前,或者,将多个所述差错检测和修正单元依次分布在各所述第四编解码单元之后。
4.根据权利要求1所述的QLC NAND的编码方法,其特征在于,所述QLC NAND还包括多个差错检测和修正单元,所述差错检测和修正单元的数量与所述编解码单元的数量相等,所述编码方法还包括:
将各所述差错检测和修正单元拆分为四个部分,分别为第一差错检测和修正单元、第二差错检测和修正单元、第三差错检测和修正单元和第四差错检测和修正单元;
将所述第一差错检测和修正单元分布在所述第一编解码单元之后,将所述第二差错检测和修正单元分布在所述第二编解码单元之后,将所述第三差错检测和修正单元分布在所述第三编解码单元之后,将所述第四差错检测和修正单元分布在所述第四编解码单元之后。
5.根据权利要求4所述的QLC NAND的编码方法,其特征在于,将各所述差错检测和修正单元拆分为四个部分,包括:
将各所述差错检测和修正单元平均拆分为四个所述部分。
6.一种QLC NAND的编码装置,其特征在于,QLC NAND包括字线和多个编解码单元,所述字线包括多个页,所述页分别为低位页、中间位页、高位页和最高位页,所述编码装置包括:
拆分单元,用于将各所述编解码单元拆分为四个部分,分别为第一编解码单元、第二编解码单元、第三编解码单元和第四编解码单元;
分布单元,用于将所述第一编解码单元分布在所述低位页中,将所述第二编解码单元分布在所述中间位页中,将所述第三编解码单元分布在所述高位页中,将所述第四编解码单元分布在所述最高位页中。
7.根据权利要求6所述的编码装置,其特征在于,所述拆分单元还用于将各所述编解码单元平均拆分为四个部分。
8.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质包括存储的程序,其中,在所述程序运行时控制所述计算机可读存储介质所在设备执行权利要求1至5中任意一项所述的QLC NAND的编码方法。
9.一种处理器,其特征在于,所述处理器用于运行程序,其中,所述程序运行时执行权利要求1至5中任意一项所述的QLC NAND的编码方法。
10.一种存储系统,其特征在于,包括:
QLC NAND;
编码装置,与所述QLC NAND通信连接,所述编码装置用于执行权利要求1至5任一项所述的方法。
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