[发明专利]基于单层各向异性超材料的宽频带四分之一波片

权利要求书

1.基于单层各向异性超材料的宽频带四分之一波片，是由介质层1和人工电磁材料结构层2构成，其特征在于所述的人工电磁材料结构层2光刻蚀于介质层1上表面，人工电磁材料结构层2是由周期性排列的连续台阶型曲折线结构层基本单元构成；

所述的结构层基本单元由等线宽的单L型结构3、台阶型三L型结构5、台阶型双L型结构4和线栅结构6由右向左一次排列而成，单L型结构3与三L型结构5之间的距离、三L型结构5与双L型结构4之间的距离、以及双L型结构4与线栅结构6之间的距离均为w，所述的w= 10 μm。

2.根据权利要求1所述的基于单层各向异性超材料的宽频带四分之一波片，其特征在于所述的介质层1的材质为聚酰亚胺或二氧化硅，介质层1的厚度为t、其厚度为微米量级。

3.根据权利要求1所述的基于单层各向异性超材料的宽频带四分之一波片，其特征在于所述的结构层基本单元的材质为铜、金或铝，结构层基本单元的厚度为t_m、其厚度为纳米量级。

4.根据权利要求1所述的基于单层各向异性超材料的宽频带四分之一波片，其特征在于所述的结构层基本单元长为12w、宽为6w。

5.根据权利要求1或4所述的基于单层各向异性超材料的宽频带四分之一波片，其特征在于所述的单L型结构3为L型、其长边为4w、短边为2w、宽为w。

6.根据权利要求1或4所述的基于单层各向异性超材料的宽频带四分之一波片，其特征在于所述的台阶型双L型结构4是由双L型结构基本单元Ⅰ8和双L型结构基本单元Ⅱ9首尾相接而成，所述的双L型结构基本单元Ⅰ8的长边为5w、短边为3w、宽为w，双L型结构基本单元Ⅱ9的长边为5w、短边为2w、宽为w。

7.根据权利要求1或4所述的基于单层各向异性超材料的宽频带四分之一波片，其特征在于所述的台阶型三L型结构5是由两个三L型结构基本单元Ⅰ10和三L型结构基本单元Ⅱ7依次首尾相接而成，所述的三L型结构基本单元Ⅰ10的长边为5w、短边为2w、宽为w，三L型结构基本单元Ⅱ7的长边为2w、短边为2w、宽为w。

8.根据权利要求1或4所述的基于单层各向异性超材料的宽频带四分之一波片，其特征在于所述的线栅结构6为长方形、其长度为3w、宽度为w。