[发明专利]一种氮化镓三极管开关测试电路及测试方法

权利要求书

1.一种氮化镓三极管开关测试电路，其特征在于：包括主电路和控制电路；主电路包含电源模块、负载模块和待测模块；

电源模块、负载模块和待测模块串联；

电源模块包含直流DC电源和储能电容C1，储能电容C1并联在直流DC电源的两端；

负载模块包含负载电感L1、控制三级管Q3、续流二极管D1、负载电阻R1和控制三极管Q4，负载电感L1的一侧与控制三极管Q3的源极串联，负载电感L1的另一侧连接续流二极管D1的阴极，负载电阻R1的一侧与控制三极管Q4的源极串联，负载电阻R1的另一侧连接续流二极管D1的阴极，续流二极管D1的阴极连接直流DC电源的正端，控制三极管Q3的漏极与控制三极管Q4的漏极并接于续流二极管D1的阳极；

待测模块包含控制三极管Q2和待测三极管Q1，控制三极管Q2的漏极与待测三极管Q1的漏极并接于续流二极管D1的阳极，控制三极管Q2的源极与待测三极管Q1的源极并接于直流DC电源的负端；

控制电路分别连接待测三极管Q1的栅极、控制三极管Q2的栅极、控制三极管Q3的栅极和控制三极管Q4的栅极；

控制电路为SILICON LABS公司生产的Si827x驱动芯片，为主电路提供四个隔离的三极管栅极控制信号；

续流二极管D1为快恢复碳化硅二极管，控制三极管Q2、控制三极管Q3和控制三极管Q4均为快开关碳化硅MOSFET；

负载电阻R1为耐高温功率电阻，负载电感L1为铁氧体电感；

上述氮化镓三极管开关测试电路的测试方法，进行负载电感L1开关测试和/或负载电阻R1开关测试；进行负载电感L1开关测试时，待测三极管Q1只需导通一次；进行负载电阻R1开关测试时，待测三极管Q1只需导通一次；

当进行负载电感L1开关测试时，控制三极管Q3导通，控制三极管Q4关断；当进行负载电阻R1开关测试时，控制三极管Q3关断，控制三极管Q4导通；

当进行负载电感L1开关测试时，包括如下步骤：

1)控制电路首先使控制三极管Q2和控制三极管Q3均导通，同时使待测三极管Q1关断，使直流DC电源、负载电感L1、控制三极管Q3和控制三极管Q2构成导通回路，电感L1上储存电路电流；

2)控制电路使控制三极管Q2关断，同时使控制三极管Q3导通，负载电感L1、控制三极管Q3和续流二极管D1构成电流续流回路；

3)控制电路使待测三极管Q1和控制三极管Q3均导通，同时使控制三极管Q2关断，使直流DC电源、负载电感L1、控制三极管Q3和待测三极管Q1构成导通回路，则获取待测二极管Q1的开关参数；

当进行负载电阻R1开关测试时，包括如下步骤：

1)控制电路首先使控制三极管Q2和控制三极管Q4均导通，同时使待测三极管Q1关断，使直流DC电源、负载电阻R1、控制三极管Q4和控制三极管Q2构成导通回路，负载电阻R1上流过电路电流；

2)控制电路使待测三极管Q1和控制三极管Q4均导通，同时使控制三极管Q2关断，使直流DC电源、负载电阻R1、控制三极管Q4和待测三极管Q1构成导通回路，则获取待测二极管Q1的开关参数。

2.根据权利要求1所述的氮化镓三极管开关测试电路，其特征在于:电源模块、负载模块和测试模块构成两条导通回路、分别为第一导通回路和第二导通回路；直流DC电源、负载模块和控制三极管Q2构成第一导通回路；直流DC电源、负载模块和待测三极管Q1构成第二导通回路。

3.根据权利要求1或2所述的氮化镓三极管开关测试电路，其特征在于：当进行负载电感L1开关测试时，步骤3)中，利用示波器抓取待测三极管Q1的开关参数，开关参数包括：开启延迟时间t_d(on)和上升时间t_r。

4.根据权利要求1或2所述的氮化镓三极管开关测试电路，其特征在于：当进行负载电阻R1开关测试时，步骤2)中，利用示波器抓取待测三极管Q1的开关参数，开关参数包括：开启延迟时间t_d(on)和上升时间t_r。