[发明专利]具有自终止控制功能的电阻内存以及自终止控制方法

权利要求书

1.一种具有自终止控制功能的电阻内存，其特征在于，所述具有自终止控制功能的电阻内存包括：

至少一内存单元，耦接到位线和源极线且包括单元晶体管和电阻组件，其中所述电阻组件的电阻在写入操作期间发生变化；

源极线控制电路，包括：

终止开关，耦接到所述源极线且根据比较结果终止对所述至少一内存单元执行的所述写入操作；以及

比较器，将源极线节点的电压与参考电压进行比较以输出所述比较结果，其中所述源极线节点位于所述源极在线且位于所述至少一内存单元与所述终止开关之间，且所述源极线节点的电压响应于所述电阻组件的电阻；以及

电流参考电路，包括：

可变电阻电路，根据所述电阻组件的目标电阻提供有效电阻且输出参考电流；以及

参考电压节点，耦接到所述可变电阻电路和所述比较器，且接收所述参考电流以将所述参考电压提供到所述比较器。

2.根据权利要求1所述的具有自终止控制功能的电阻内存，其特征在于，所述写入操作为设置操作，所述电阻组件的目标电阻为所述至少一内存单元的低电阻状态的目标值，且所述有效电阻等于所述电阻组件的目标电阻。

3.根据权利要求1所述的具有自终止控制功能的电阻内存，其特征在于，所述可变电阻电路包括：

多个参考电阻组件，以并联配置方式电性连接；以及

多个选择开关，分别耦接到所述多个参考电阻组件，

其中所述多个选择开关选择性地接通以使得所述多个参考电阻组件形成所述有效电阻。

4.根据权利要求3所述的具有自终止控制功能的电阻内存，其特征在于，所述多个参考电阻组件的电阻以2的幂关系配置。

5.根据权利要求1所述的具有自终止控制功能的电阻内存，其特征在于，所述源极线控制电路包括：

限流器，配置在所述终止开关与所述至少一内存单元之间且由偏置电压控制，其中所述限流器的输入端耦接到所述源极线节点。

6.根据权利要求5所述的具有自终止控制功能的电阻内存，其特征在于，所述电流参考电路进一步包括：

虚拟内存单元，配置成对应于所述至少一内存单元且包括所述可变电阻电路和虚拟单元晶体管，其中所述虚拟单元晶体管耦接到所述可变电阻电路且输出所述参考电流；

虚拟终止开关，耦接到所述虚拟内存单元且配置成对应于所述终止开关；以及

虚拟限流器，耦接在所述虚拟终止开关与所述虚拟内存单元之间且配置成对应于所述限流器，其中所述参考电压节点耦接到所述虚拟限流器的输入端。

7.根据权利要求6所述的具有自终止控制功能的电阻内存，其特征在于，所述电流参考电路和所述源极线控制电路整合到一个芯片中。

8.根据权利要求7所述的具有自终止控制功能的电阻内存，其特征在于，所述虚拟限流器和所述虚拟终止开关为晶体管，所述虚拟限流器的第一端耦接到所述虚拟限流器的控制端和所述参考电压节点，所述虚拟限流器的第二端耦接到所述虚拟终止开关的第一端，所述虚拟终止开关的第二端耦接到接地端，且所述虚拟终止开关的控制端接收使能信号。

9.根据权利要求7所述的具有自终止控制功能的电阻内存，其特征在于，所述虚拟限流器和所述虚拟终止开关为晶体管，所述虚拟限流器的第一端耦接到所述参考电压节点，所述虚拟限流器的第二端耦接到所述虚拟终止开关的第一端，所述虚拟限流器的控制端耦接到外部源装置以接收所述偏置电压，所述虚拟终止开关的第二端耦接到接地端，且所述虚拟终止开关的控制端接收使能信号。

10.根据权利要求6所述的具有自终止控制功能的电阻内存，其特征在于，所述电流参考电路的晶体管与所述源极线控制电路的对应晶体管具有相同电特性。