[发明专利]GaN基板以及显示芯片的制造方法在审
| 申请号： | 202011089658.6 | 申请日： | 2020-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN112133805A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 岳大川;朱涛 | 申请（专利权）人： | 深圳市奥视微科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/32;H01L33/00;H01L25/16 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 田媛 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gan 以及 显示 芯片 制造 方法 | ||
1.一种GaN基板，包括衬底和位于所述衬底上方的GaN外延层，其特征在于：所述GaN外延层上设有由多个彼此独立的环状隔离部构成的翘曲消减结构；其中，各个所述的环状隔离部相对于所述GaN外延层的上表面为向下凹陷，每一个所述环状隔离部的内侧界定一个与待制造的显示芯片尺寸相适应的独立单元。
2.根据权利要求1所述的GaN基板，其特征在于：所述的GaN外延层包括依次层叠在所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱MQW层和p型GaN层，所述的环状隔离部从所述p型GaN层向下一直延伸到所述非掺杂GaN层处。
3.根据权利要求1所述的GaN基板，其特征在于：各个所述环状隔离部沿着周向连续延伸。
4.根据权利要求1所述的GaN基板，其特征在于：各个所述环状隔离部沿着周向断续延伸。
5.根据权利要求1所述的GaN基板，其特征在于：所述环状隔离部的凹陷深度设计为1µm-100µm。
6.根据权利要求5所述的GaN基板，其特征在于：所述环状隔离部的凹陷深度设计为1µm-10µm。
7.根据权利要求1所述的GaN基板，其特征在于：所述环状隔离部具有相对设置的第一边沿和第二边沿，所述的第一、第二边沿之间的距离大于等于0.1µm。
8.根据权利要求7所述的GaN基板，其特征在于：所述的第一、第二边沿之间的距离大于等于5µm。
9.根据权利要求7所述的GaN基板，其特征在于：所述的第一、第二边沿之间的距离自上而下逐渐变小。
10.根据权利要求1所述的GaN基板，其特征在于：所述的衬底为蓝宝石衬底。
11.一种显示芯片的制造方法，其特征在于，该制造方法包括：
提供衬底；
在衬底上进行外延工艺处理，以获得形成有GaN外延层的GaN基板；
对所述GaN基板的GaN外延层进行图形化工艺处理，以在所述GaN外延层上形成由多个彼此独立的环状隔离部构成的翘曲消减结构；其中，各个所述的环状隔离部相对于所述GaN外延层的上表面向下凹陷，每一个所述环状隔离部的内侧界定一个与待制造的显示芯片尺寸相适应的独立单元。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市奥视微科技有限公司，未经深圳市奥视微科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011089658.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
