[发明专利]半导体结构及电子设备在审
| 申请号： | 202011089805.X | 申请日： | 2020-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN114361249A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 郑磬镐;项金娟;李亭亭;王晓磊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 电子设备 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底层；
界面氧化物层，位于所述衬底层上；
第一金属栅层，位于所述界面氧化物层上；
第二金属栅层，位于所述第一金属栅层上；
其中，所述第一金属栅层为具有掺杂剂粒子的金属栅层。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
高K栅介质层，位于所述界面氧化物层与所述第一金属栅层之间，在所述界面氧化物层与所述高K栅介质层的接触部位形成偶极子。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述偶极子是由掺杂剂粒子扩散到所述界面氧化物层与所述高K栅介质层接触部位形成的。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一金属栅层是由掺杂剂元素扩散到金属栅层中形成的。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一金属栅层是由掺杂有掺杂剂粒子的金属栅材料通过物理气相沉积或化学气相沉积的方式形成的。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一金属栅层是通过离子注入方法将掺杂剂粒子注入金属栅层形成的。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂剂为镧材料。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一金属栅层为氮化钛材料层。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二金属栅层为钨材料层。
10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的半导体结构。
11.根据权利要求10所述的电子设备，其特征在于，包括智能电话、计算机、平板电脑、可穿戴智能设备、人工智能设备、移动电源。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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