[发明专利]一种非易失静态存储单元、控制方法、元器件及设备

权利要求书

1.一种非易失静态存储单元，其特征在于，所述存储单元包括：

非易失存储模块，所述非易失存储模块包括：开关元器件和铁电存储器；所述铁电存储器一端与所述开关元器件连接，另一端与控制线连接；

静态存储模块，所述静态存储模块的存储节点与所述铁电存储器之间通过所述开关元器件连接；

其中，在所述静态存储模块断电之前，所述开关元器件导通，并通过所述控制线输入脉冲电压将所述存储节点的数据存储到所述铁电存储器中；

在所述静态存储模块上电之后，所述开关元器件导通，并通过所述控制线输入脉冲电压将，所述数据从所述铁电存储器恢复到所述存储节点。

2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述开关元器件为MOS晶体管。

3.根据权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述开关元器件的栅极与开关字线连接，源极和漏极其中一端与所述存储节点连接，另一端与所述铁电存储器连接。

4.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述静态存储模块是6管静态存储器，包括：

第一上晶体管，源极与控制字线连接；

第一下晶体管，源极与所述第一上晶体管的漏极连接，漏极接地，栅极与所述第一上晶体管的栅极连接；

第二上晶体管，源极与控制字线连接；

第二下晶体管，源极与所述第二上晶体管的漏极连接，漏极接地，栅极与所述第二上晶体管的栅极连接；

第一存取晶体管，栅极与字线连接，源极与第一存储节点连接，漏极与反位线连接；

第二存取晶体管，栅极与字线连接，源极与第二存储节点连接，漏极与位线连接。

5.根据权利要求4所述的存储单元，其特征在于，所述第一存储节点与所述开关元器件连接。

6.一种控制方法，其特征在于，所述方法用于控制权利要求1-5任一所述的存储单元，所述方法包括：

在所述静态存储模块断电之前，所述开关元器件导通，所述存储节点的数据传输到所述铁电存储器，所述控制线输入脉冲电压信号，所述存储节点的数据存储到所述铁电存储器中；

在所述静态存储模块上电之后，所述控制线输入脉冲电压信号，所述开关控制字线输入信号，所述开关元器件导通，数据从所述铁电存储器恢复到所述存储节点。

7.如权利要求6所述控制方法，其特征在于，所述脉冲电压信号为正脉冲信号。

8.如权利要求6所述控制方法，其特征在于，所述开关控制字线输入信号，所述开关元器件导通，包括：

所述开关元器件为NMOS晶体管，所述开关控制字线输入高电平，所述开关元器件导通；或

所述开关元器件为PMOS晶体管，所述开关控制字线输入低电平，所述开关元器件导通。

9.一种元器件，其特征在于，包括权利要求1-5任一所述的存储单元。

10.一种设备，其特征在于，包括如权利要求1-5任一所述的存储单元。