[发明专利]一种超薄聚合物的表面处理方法

权利要求书

1.一种超薄聚合物的表面处理方法，其特征在于，

在真空室内进行，包括将聚合物薄膜固定在放卷轴上，在导向辊的作用下聚合物薄膜运动到冷辊处进行离子束表面处理，表面处理完后在导向辊的作用下继续运动到收卷轴上；所述聚合物薄膜厚度低于5微米；

所述离子束表面处理的装置包括离子源系统、电弧系统以及磁控系统，离子束表面处理时聚合物薄膜的温度不高于50℃，处理顺序依次为气体离子源处理，电弧处理和磁控溅射处理，所述气体离子源处理为活化聚合物薄膜表面，所述电弧处理和磁控溅射处理为在聚合物薄膜表面沉积铜；其中，离子源系统中的气体离子源电流大小为0.1-1A；电弧系统中电弧沉积时起弧电流为60-120A，离子束流为0.1-1A；磁控系统中磁控溅射电流为0.1-2A，进气量为200-300sccm；

所述气体离子源与电弧阴极表面中心的直线距离为250-350mm，其连线与竖直夹角30-45度；气体离子源距冷辊表面20-150mm，气体离子源中心比冷辊中心低10-50mm；磁控系统中心距冷辊表面距离30-80mm，与电弧阴极表面中心直线距离250-380mm。

2.根据权利要求1所述超薄聚合物的表面处理方法，其特征在于，所述气体离子源选择潘宁源电压20-40KV、考夫曼源电压10-20KV、冷阴极霍尔源0-1KV中的一种，气体离子束流为100-1000mA。

3.根据权利要求1所述超薄聚合物的表面处理方法，其特征在于，所述电弧处理和磁控溅射处理能够在聚合物薄膜表面沉积厚度不高于3微米的铜膜层，铜膜层无孔洞。

4.根据权利要求1所述超薄聚合物的表面处理方法，其特征在于，所述冷辊与真空室壁电场强度不低于250V/m；所述磁控系统包括孪生靶磁控溅射，其磁场强度为1-50mT。

5.根据权利要求1所述超薄聚合物的表面处理方法，其特征在于，所述冷辊直径为600-800mm，冷辊内水温-30～0℃，表面粗糙度小于0.01微米。

6.根据权利要求1所述超薄聚合物的表面处理方法，其特征在于，所述真空室内气压为2×10^-2Pa，气压波动范围不超过5％。

7.根据权利要求1所述超薄聚合物的表面处理方法，其特征在于，所述气体离子源与电弧阴极表面中心的直线距离为300-320mm，其连线与竖直夹角35-40度；气体离子源距冷辊表面60-100mm，气体离子源中心比冷辊中心低30-40mm；磁控系统中心距冷辊表面距离50-60mm，与电弧阴极表面中心直线距离320-350mm。

8.根据权利要求1所述超薄聚合物的表面处理方法，其特征在于，所述离子束表面处理进行两次。

9.权利要求1-8任一所述超薄聚合物的表面处理方法在聚合物薄膜覆铜处理中的应用。