[发明专利]一种5G天线移相器表面可焊金属的沉积工艺

权利要求书

1.一种5G天线移相器表面可焊金属的沉积工艺，其特征在于，包括如下步骤：

S1.多弧沉积形成伪合金层：对铝基移相器腔体进行多弧沉积，多弧电流80-150A，负压600-800V，沉积时间1-10min，在铝基移相器腔体表面形成微区融化，实现膜层和铝基移相器腔体的伪冶金结合；

S2.多弧沉积形成中间焊接层：通入氩气，流量50-300sccm，降低起弧电流至30-60A，降低负压至10-90V；同时打开磁控电源，调整磁控电流为1-5A，沉积金属Cu或者Ni，沉积时间0.1-2h，沉积厚度不低于8微米；

S3.多弧沉积制备表面防氧化层：关闭磁控电源，降低多弧起弧电流至1-10A，真空气压为0.1-1Pa，负压为10-50V，沉积时间0.1-10min，沉积金属锡，沉积厚度10-200nm；

S3所述多弧沉积制备表面防氧化层过程中，起弧方式为脉冲式起弧，起弧频率10-50Hz，通过100-200mT的强直流磁场控制弧斑在锡靶中心烧蚀；

所述沉积工艺使用的设备包括圆形炉体、磁控设备、多弧沉积设备和抽真空设备，圆形炉体内设置有可旋转的圆环平台，圆环平台上放置有若干个工件机构，圆环平台内侧设有若干个磁控靶材，圆环平台外侧设有若干个多弧靶材；所述工件机构内放置有多个铝基移相器腔体。

2.根据权利要求1所述5G天线移相器表面可焊金属的沉积工艺，其特征在于，S2和S3处理过程中，铝基移相器腔体表面温度不超过300℃。

3.根据权利要求1所述5G天线移相器表面可焊金属的沉积工艺，其特征在于，S1所述铝基移相器腔体表面形成微区融化时，其表面的测量温度为450-500℃。

4.根据权利要求1所述5G天线移相器表面可焊金属的沉积工艺，其特征在于，S3所述多弧沉积制备表面防氧化层过程中，锡靶为圆形，直径为50-80mm，弧斑烧蚀直径为40-60mm。

5.根据权利要求1所述5G天线移相器表面可焊金属的沉积工艺，其特征在于，S1所述多弧沉积中，圆环平台的转速为1-2r/min，工件机构的自转速度为5-10r/min。

6.根据权利要求1所述5G天线移相器表面可焊金属的沉积工艺，其特征在于，所述圆环平台上的铝基移相器数量不低于1500个，铝基移相器的长度为10-600mm。

7.根据权利要求1所述5G天线移相器表面可焊金属的沉积工艺，其特征在于，所述圆环平台外侧的多弧靶材总数量为30-40个，圆环平台内侧的磁控靶材数量为6-10个。

8.根据权利要求1所述5G天线移相器表面可焊金属的沉积工艺，其特征在于，膜层与基体结合强度不低于100N；且80℃盐雾浓 度为5％环境下，500h后结合强度大于70N。