[发明专利]一种新型太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种新型太阳能电池，包括衬底(1)，其特征在于，所述的衬底(1)背面由内向外依次沉积有第一SiO₂钝化层(2)和叠层膜(3)，衬底(1)正面由内向外依次沉积有轻扩散区(4)、第二SiO₂钝化层(5)和第二SiNx膜(6)，在轻扩散区(4)下设有重扩散区(7)，金属栅线(8)依次穿过第二SiNx膜(6)、第二SiO2钝化层(5)和轻扩散区(4)后与重扩散区(7)接触，铝背场(9)依次穿过叠层膜(3)和第一SiO2钝化层(2)后与衬底(1)接触。

2.根据权利要求1所述的一种新型太阳能电池，其特征在于，所述的叠层膜(3)包括位于第一SiO₂钝化层(2)上的SiON膜(10)和第一SiNx膜(11)。

3.根据权利要求2所述的一种新型太阳能电池，其特征在于，SiON膜(10)厚度为25-70nm，第一SiNx膜(11)厚度为100-150nm，第一SiNx膜(11)折射率为2.1。

4.根据权利要求2所述的一种新型太阳能电池，其特征在于，所述的第一SiO₂钝化层(2)和第二SiO₂钝化层(5)的厚度分别为15-25nm。

5.根据权利要求1所述的一种新型太阳能电池，其特征在于，第二SiNx膜(6)厚度为50-100nm，折射率为2.03-2.2。

6.根据权利要求1所述的一种新型太阳能电池，其特征在于，所述的轻扩散区(4)的方块电阻为150-250ohm/sq，重扩散区(7)厚度为1-3um，宽度为50-100um，方块电阻为10-30ohm/sq。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的一种新型太阳能电池的制备方法，其特征在于，以P型直拉单晶硅片为衬底(1)，衬底(1)正面通过高温扩散形成轻扩散区(4)，得到轻发射极，通过涂抹或印刷高浓度含磷液体，并利用激光的高能量实施局部掺杂，形成重扩散区(7)，得到重发射极，衬底(1)背面具有SiO2/SiON/SiNx形成的钝化层，激光开槽后印刷Al浆形成铝背场(9)，衬底(1)正面印刷Ag材料的金属栅线(8)，烧结后形成正背面电极，金属栅线(8)与重扩散区(7)接触。

8.根据权利要求1-6任意一项所述的一种新型太阳能电池的制备方法，其特征在于，选择P型直拉单晶硅片为衬底(1)，衬底(1)正面在低压扩散炉管中扩散形成轻扩散区(4)，扩散温度控制在700-850℃，形成正面轻N型发射极，扩散后方块电阻控制在150-250ohm/sq，

丝网印刷液态高浓度磷源，印刷时采用非金属网版，印刷压力在80-100N，印刷液体厚度在1-3um之间，印刷宽度在50-100um之间，之后在链式烘干炉烘干，烘干温度为120-200℃，烘干时间在10min之内，

采用激光掺杂在衬底(1)正面制备形成重扩散区(7)，即金属接触区域

链式清洗机湿法清洗去除衬底(1)背面扩散，刻蚀深度为2-3um，

采用高温管式氧化炉生长SiO₂钝化层，管内温度在750-800℃之间，O₂在4L-10L之间，氧化时间在10-15min，在衬底(1)正面的轻扩散区(4)上和衬底(1)背面分别沉积形成第二SiO2钝化层(5)和第一SiO2钝化层(2)，

管式PECVD背面沉积叠层膜(3)，管式PECVD正面沉积减第二SiNx膜(6)，第二SiNx膜(6)厚度为50-100nm，折射率为2.03-2.2，

使用532nm-1064nm的ns激光进行衬底(1)背面局部开槽，将局部的叠层膜(3)去除，丝网印刷Al浆，链式烘干炉烘干Al浆，烘干温度为150-250C，烘干时间为5min-10min，形成铝背场(9)，

正面丝网印刷Ag浆，形成金属栅线(8)，金属栅线(8)与重扩散区接触，烧结形成欧姆接触，烧结炉烧结浆料，烧结温度为720℃-780℃，正背面共烧，形成正面电极和背面电极。