[发明专利]一种热室箱室设备α污染去污方法在审

专利信息
申请号: 202011091138.9 申请日: 2020-10-13
公开(公告)号: CN112509722A 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 禹恩发;徐卫东;吕希全;唐明山;张华;王元恩;李亮;王见强;林阳 申请(专利权)人: 中核四川环保工程有限责任公司
主分类号: G21F9/00 分类号: G21F9/00;G21F9/32
代理公司: 核工业专利中心 11007 代理人: 苏然
地址: 628000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 热室箱室 设备 污染 去污 方法
【说明书】:

发明涉及核设施退役处理技术领域,具体公开了一种热室箱室设备α污染去污方法,采用可剥离膜及干冰进行去污,包括以下步骤:步骤一:估算可剥离膜及干冰消耗量;步骤二:配制可剥离膜、制备干冰;步骤三:喷涂可剥离膜;步骤四:喷射干冰;步骤五:收集处理尾气、废弃物。本发明方法适用于α污染水平高且空间狭小的箱室设备内部去污处理,能够有效减少箱室设备退役过程拆除的固体放射性废物量。

技术领域

本发明属于核设施退役处理技术领域,具体涉及一种放射性热室箱室设备α污染去污方法。

背景技术

核设施在内设计并使用有大量的取样柜、工作箱、取样箱等热室箱室设备,用于放射性物质操作,经过多年的运行,部分设备内部受α污染。这类箱室设备在运行和退役过程中将需要进行去污操作,一套良好的去污工艺能够有效保证退役活动的辐射安全,但是目前箱室设备去污难度很大,主要体现在:

(1)辐射水平高,污染严重,部分遭受了严重α污染;

放射性取样柜、工作箱等箱室在运行期间,开展了高放射性水平废液的取样工作,在操作中,导致内壁受不同深度的放射性污染。以取样柜为例,其内壁α污染达到了103Bq/cm2

(2)设备内空间狭小,一般未设置倒空手段,去污操作受限因素多,产生的二次废液难以收集,易造成二次污染。

受限于设备内部空间狭小及其复杂结构,难以采用常规的去污手段(如化学去污等),主要原因为箱室设备未设置倒空手段,产生的二次废液若不能及时收集,将造成严重的二次污染,不利于设备的后续拆除。

基于以上因素,亟需设计一种热室箱室设备的高效去污方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种放射性热室箱室设备α污染去污方法,实现受α污染且空间狭小的箱室设备内壁及内部构件外表面的去污处理。

本发明的技术方案如下:

一种热室箱室设备α污染去污方法,采用可剥离膜及干冰进行去污。

包括以下步骤:

步骤一:估算可剥离膜及干冰消耗量;

步骤二:配制可剥离膜、制备干冰;

步骤三:喷涂可剥离膜;

步骤四:喷射干冰;

步骤五:收集处理尾气、废弃物。

步骤一中,根据热室箱室设备尺寸估算设备内部需去污部分的表面积,进而估算可剥离膜及干冰消耗量。

步骤二中,分别根据消耗量配制可剥离膜、制备干冰,并分别暂存备用;

其中,可剥离膜的配制量和干冰的制备量均大于估算消耗量;

将热室箱室设备连接至局排系统,测量通风量,并确保通风量≥2100m3/h。

步骤二中,干冰制备具体包括以下步骤:

1)购置液态二氧化碳,灌装至液态二氧化碳杜瓦罐中待用;

2)将杜瓦罐与干冰制造机相连接,并考虑干冰使用中的损耗,设置干冰制备量为1.1~1.5倍估算的消耗量;

3)启动干冰制造机制取干冰,装入干冰贮存箱中暂存备用。

步骤三中,将可剥离膜通过喷射、涂刷等方式喷涂到设备内壁及内部构件外表面,喷涂厚度为0.8~1.0mm;

设备内保持通风,直至可剥离膜干燥。

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