[发明专利]一种添加剂及使用该添加剂制备高抗拉电解铜箔的工艺在审

专利信息
申请号: 202011091194.2 申请日: 2020-10-13
公开(公告)号: CN112144084A 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 李应恩;李会东;裴晓哲;王建智;贾佩;杨锋;王斌 申请(专利权)人: 灵宝宝鑫电子科技有限公司
主分类号: C25D3/38 分类号: C25D3/38;C25D1/04
代理公司: 郑州银河专利代理有限公司 41158 代理人: 陈玄
地址: 472500 河南省三门峡市*** 国省代码: 河南;41
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 添加剂 使用 制备 高抗拉 电解 铜箔 工艺
【权利要求书】:

1.一种添加剂,其特征在于:该添加剂由下列原料制备而成:光亮剂SPS、HEC水溶液、胶原蛋白、HCL盐酸、糖精钠,所述添加剂中SPS的浓度为3-15g/L,HEC的浓度为6-12g/L,胶原蛋白的浓度为8-12g/L,HCL的浓度为3-7g/L,糖精钠的浓度为4-6g/L。

2.一种使用如根据权利要求1所述的添加剂制备高抗拉电解铜箔的工艺,其特征在于,包括如下步骤:

步骤A:制作溶液:将原材料铜杆或铜丝加入融铜罐中,在硫酸溶液中经过空压溶解生成硫酸铜电解液,调节硫酸铜电解液中的铜离子含量、硫酸浓度、氯离子含量及温度指标达到规定范围;

步骤B:一次过滤:将步骤A中的硫酸铜电解液加入到硅藻士过滤器中进行粗过滤;

步骤C:中和:将步骤B中过滤过后的硫酸铜电解液加入到净液罐中加热,在净液灌中按比例添加权利要求1所述的添加剂进行搅拌;

步骤D:二次过滤:将步骤C中融入过后的硫酸铜电解液加入到精滤器内进行精过滤;

步骤E:电解制箔:将步骤D中的过滤过后的硫酸铜电解液,送至电解槽内进行电解制箔,;

步骤F:防氧化处理:将步骤E中所得的电解铜箔通过防氧化液槽处理过后制得成品电解铜箔试样。

3.根据权利要求2所述的使用该添加剂制备高抗拉电解铜箔的工艺,其特征在于:所述步骤B中的粗过滤为过滤直径>5μm杂质。

4.根据权利要求2所述的使用该添加剂制备高抗拉电解铜箔的工艺,其特征在于:所述步骤C中净液罐加入添加剂的时间温度为60±2°C。

5.根据权利要求2所述的使用该添加剂制备高抗拉电解铜箔的工艺,其特征在于:所述步骤C中添加剂进入净液灌比例为7:2,其中光亮剂SPS、HEC水溶液、胶原蛋白、HCL盐酸、糖精钠各个之间的配比为9:2:4:3:7。

6.根据权利要求2述的使用该添加剂制备高抗拉电解铜箔的工艺,其特征在于:所述步骤D中的精过滤为过滤直径≥2μm杂质。

7.根据权利要求2述的使用该添加剂制备高抗拉电解铜箔的工艺,其特征在于:所述步骤A中节硫酸铜电解液中的铜离子含量为120-150g/L,酸为110-140g/L,氯离子的含量为40-60ppm。

8.根据权利要求2所述的使用该添加剂制备高抗拉电解铜箔的工艺,其特征在于:所述步骤C中搅拌的转速为30-70r/min,温度30-75℃。

9.根据权利要求2所述的使用该添加剂制备高抗拉电解铜箔的工艺,其特征在于:所述步骤E中电解的电流密度为20-50A/dm²,阴极辊转速为7-10m/min。

10.根据权利要求2任一项所述的使用该添加剂制备高抗拉电解铜箔的工艺,其特征在于:所述步骤F中可得到高抗拉电解铜箔,所述高抗拉电解铜箔的厚度≤6μm,常温抗拉强度≥500MPa,高温抗拉强度≥550MPa,延伸率10-15%,粗糙度Rz≤1.0μm,光亮度200-300单位光泽,翘曲≤3㎜。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于灵宝宝鑫电子科技有限公司,未经灵宝宝鑫电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011091194.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top