[发明专利]表层随机介质模型建立方法、装置、电子设备及介质在审

专利信息
申请号: 202011092790.2 申请日: 2020-10-13
公开(公告)号: CN114428314A 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 赵磊;刘卫华 申请(专利权)人: 中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油物探技术研究院
主分类号: G01V1/30 分类号: G01V1/30
代理公司: 北京思创毕升专利事务所 11218 代理人: 孙向民;廉莉莉
地址: 100027 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 表层 随机 介质 模型 建立 方法 装置 电子设备
【权利要求书】:

1.一种表层随机介质模型建立方法,其特征在于,包括:

根据自相关函数,建立随机过程功率谱与二维随机场;

根据所述随机过程功率谱与所述二维随机场,计算随机功率谱;

计算所述随机功率谱的二维傅里叶逆变换,获得随机扰动;

建立关于所述自相关函数的随机扰动,进而获得随机介质模型。

2.根据权利要求1所述的表层随机介质模型建立方法,其中,所述随机过程功率谱为:

其中,为随机过程功率谱,是的原像,kx,kz为像函数的自变量。

3.根据权利要求1所述的表层随机介质模型建立方法,其中,通过公式(2)计算所述随机功率谱:

其中,Ψ(kx,kz)为随机功率谱,为随机过程功率谱,θ(kx,kz)为二维随机场。

4.根据权利要求1所述的表层随机介质模型建立方法,其中,所述随机扰动为:

其中,ψ(x,z)为随机扰动,Ψ(kx,kz)为随机功率谱。

5.根据权利要求1所述的表层随机介质模型建立方法,其中,建立关于所述自相关函数的随机扰动包括:

计算所述随机扰动的均值及方差;

根据所述随机扰动的均值及方差,建立关于所述自相关函数的随机扰动。

6.根据权利要求5所述的表层随机介质模型建立方法,其中,关于所述自相关函数的随机扰动为:

其中,σ(x,z)为关于自相关函数的随机扰动,ψ(x,z)为随机扰动,d为随机扰动的标准差,μ为随机扰动的均值,ε为关于自相关函数的随机扰动的标准差。

7.根据权利要求1所述的表层随机介质模型建立方法,其中,所述随机介质模型为:

υ(x,z)=υ0(1+σ(x,z)) (5)

其中,υ(x,z)为随机介质模型,σ(x,z)为关于自相关函数的随机扰动,υ0为随机模型的初始速度。

8.一种表层随机介质模型建立装置,其特征在于,包括:

傅里叶变换模块,根据自相关函数,建立随机过程功率谱与二维随机场;

随机功率谱确定模块,根据所述随机过程功率谱与所述二维随机场,计算随机功率谱;

傅里叶逆变换模块,计算所述随机功率谱的二维傅里叶逆变换,获得随机扰动,进而计算所述随机扰动的均值及方差;

随机介质模型建立模块,建立关于所述自相关函数的随机扰动,进而获得随机介质模型。

9.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括:

存储器,存储有可执行指令;

处理器,所述处理器运行所述存储器中的所述可执行指令,以实现权利要求1-7中任一项所述的表层随机介质模型建立方法。

10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,该计算机可读存储介质存储有计算机程序,该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-7中任一项所述的表层随机介质模型建立方法。

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