[发明专利]MOS晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种MOS晶体管，包括衬底以及形成在所述衬底上的栅极，所述栅极两侧的衬底中形成有源/漏区，所述源/漏区横向扩散至与所述栅极发生交叠，其特征在于，所述MOS晶体管还包括：第二导电类型的反型掺杂区，所述反型掺杂区形成在所述栅极两侧的源/漏区中，所述反型掺杂区横向扩散的边界不超过所述栅极的侧壁，所述反型掺杂区纵向扩散的底部边界和所述源/漏区的底部边界相距第一垂直距离，所述反型掺杂区纵向扩散的顶部边界与所述源/漏区的顶部边界相距第二垂直距离，所述第一垂直距离和所述第二垂直距离均大于0；

其中，所述源/漏区包括第一导电类型的重掺杂区以及第一导电类型的延伸扩展区，所述延伸扩展区包围所述重掺杂区且顶部边界与所述重掺杂区的顶部边界齐平，所述重掺杂区面向所述栅极的边界与所述栅极的侧壁之间的横向距离大于0，所述延伸扩展区从所述重掺杂区的边界延伸到所述栅极的底部下方，并与所述栅极发生交叠，所述延伸扩展区的第一导电类型离子掺杂浓度低于所述重掺杂区的第一导电类型离子掺杂浓度；所述反型掺杂区形成在所述延伸扩展区中，且所述反型掺杂区横向扩散的边界与所述延伸扩展区横向扩散的同侧边界之间有大于0的距离。

2.如权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述反型掺杂区的第二导电类型离子掺杂浓度高于所述重掺杂区的第一导电类型离子掺杂浓度。

3.如权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述第一垂直距离大于等于所述第二垂直距离。

4.如权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，还包括位于所述栅极侧壁上的侧墙以及位于所述栅极和所述衬底之间的栅氧化层；所述反型掺杂区形成于所述侧墙底部的源/漏区中。

5.一种如权利要求1至4中任一项所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，在所述衬底上形成栅极；

采用第一导电类型的掺杂杂质对所述栅极两侧的衬底进行源漏离子注入，以在所述栅极两侧的衬底中形成源漏注入区；

采用第二导电类型的掺杂杂质对所述源漏掺杂区进行反型离子注入，以在所述源漏掺杂区中形成反型注入区；

对所述衬底进行退火处理，以形成源/漏区和反型掺杂区，所述源/漏区横向扩散至与所述栅极发生交叠，所述反型掺杂区横向扩散的边界不超过所述栅极的侧壁，所述反型掺杂区纵向扩散的底部边界和所述源/漏区的底部边界具有第一距离，所述反型掺杂区纵向扩散的顶部边界与所述源/漏区的顶部边界有第二距离，所述第一距离和所述第二距离均大于0，且在退火处理后，所述源/漏区包括第一导电类型的重掺杂区以及第一导电类型的延伸扩展区，所述延伸扩展区包围所述重掺杂区且顶部边界与所述重掺杂区的顶部边界齐平，所述重掺杂区面向所述栅极的边界与所述栅极的侧壁之间相距大于0的横向距离，所述延伸扩展区从所述重掺杂区的边界延伸到所述栅极的底部下方，并与所述栅极发生交叠，所述延伸扩展区的第一导电类型离子掺杂浓度低于所述重掺杂区的第一导电类型离子掺杂浓度，所述反型掺杂区形成在所述延伸扩展区中，且所述反型掺杂区横向扩散的边界与所述延伸扩展区横向扩散的同侧边界之间有大于0的距离。

6.如权利要求5所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，采用第一倾斜角度对所述栅极两侧的衬底进行源漏离子注入，采用第二倾斜角度对所述源漏掺杂区进行反型离子注入，所述第一倾斜角度和第二倾斜角度均为离子注入方向与所述衬底表面上的法线之间的夹角，且所述第一倾斜角度大于第二倾斜角度。

7.如权利要求5所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，在形成所述栅极之后且在进行源漏离子注入之前或之后，还在所述栅极的侧壁上形成侧墙。