[发明专利]将查找操作卸载到NAND卸载设备的方法和系统

说明书

公开了一种将查找操作卸载到NAND卸载设备的方法和系统。该方法包括：由NAND卸载设备从键值固态驱动器(KV SSD)NAND接口接收NAND读命令，其中，NAND卸载设备使用NAND总线连接在KV SSD NAND接口和NAND装置之间；由NAND卸载设备确定NAND读命令是否包括指示间接读操作的信息元素；基于确定NAND读命令包括该信息元素，由NAND卸载设备执行间接读操作；以及基于确定NAND读命令不包括该信息元素：由NAND卸载设备通过NAND总线将NAND读命令传递给NAND装置，并且由NAND卸载设备配置开关以在输出门处将来自NAND装置的响应消息传递给KV SSD NAND接口。

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求于2019年10月14日提交的印度申请201941041568的优先权，其公开内容整体以引用方式并入本文中。

技术领域

本公开涉及存储器系统，更具体地，涉及一种用于将查找操作卸载到NAND卸载设备的方法和存储器系统。

背景技术

通常，支持基于键,值的访问的企业固态驱动器(SSD)(可称为键值(KV)SSD)基于键执行多级查找以寻找NAND存储器中存储有与键对应的值的位置。在示例中，键和值可以是数据库中使用的术语。键可以是员工编号，值可以是员工姓名、地址等。键可用于在NAND存储器中执行查找。各级查找可涉及与NAND的传送并在SSD控制器内处理以搜索键，然后在NAND存储器中执行下一级查找。由于SSD也可能正在并行进行其它操作，如，垃圾收集(GC)或与其它NAND晶片的输入/输出(IO)，所以在各级查找之间可能引入延迟。

图1A示出说明KV读操作的示例场景。如图1A所示，可基于散列来说明键,值查找方法。在操作S102，KV SSD可基于键从处理器(100)接收读请求，并计算键的散列。在操作S104，KV SDD可基于散列值在RAM中的第一级表中执行查找。在实施例中，第一级可指例如第一级查找或1级查找。在操作S106，基于在第一级表查找中找到的NAND地址，KV SSD可执行页(可以是例如第二级条目)的NAND读操作以及对页内的键的二分搜索。在实施例中，第二级可指例如第二级查找或2级查找。在操作S108，KV SSD可在操作S106处标识的页地址和偏移处执行NAND读操作并传送值。根据SSD中的负荷，在操作S106处的第二级条目的处理可能延时，并导致整体键,值读取中的延迟。

图1B是NAND装置(200)的示意图。NAND装置(200)可包括控制器(202)、电压选择器(204)、NAND存储器阵列(206)、锁存器(208)、列解码器(210)、NAND总线(212)和行解码器(214)。控制器(202)可包括读电路(202a)、编程电路(204a)和擦除电路(206a)。行解码器(214)和列解码器(210)可用于基于施加到NAND装置(200)的地址选择NAND存储器阵列(206)的单行和至少一列。

电压选择器(204)可连接到与NAND存储器阵列(206)的列对应的列线，以在寻址的列线上供应与存储在NAND装置(200)中的数据值对应的电压电平。NAND装置(200)可能能够执行写操作，由此可使用编程电路(204a)和擦除电路(206a)在NAND装置(200)中的写操作期间将数据写到(例如，编程到或从其擦除)由施加到行解码器和列解码器(214和210)的写地址选择的存储器单元。通过使用读电路(206a)，可在NAND装置(210)中的读操作期间使用读操作来检索先前写到由施加到行解码器和列解码器(214和210)的读地址选择的NAND存储器阵列(206)的数据。锁存器(208)可在读操作时从选择的行的NAND存储器阵列(206)感测数据，并在编程操作时经由列解码器(210)锁存NAND总线(212)上的n比特数据。

因此，期望解决上述缺点或其它不足或至少提供有用的替代。

发明内容

提供一种用于将查找操作卸载到NAND卸载设备的方法和存储器系统。