[发明专利]基板切割方法和制造半导体器件的方法

说明书

提供了一种基板切割方法和一种制造半导体器件的方法。该基板切割方法可以包括：使用激光束在基板中形成改性图案；研磨基板的底表面以减薄基板；以及伸展基板以将基板分割成多个半导体芯片。改性图案的形成可以包括在基板中形成第一改性图案以及将边缘聚焦光束提供到与第一改性图案交叉的区域以形成与第一改性图案接触的第二改性图案。

技术领域

本公开涉及制造半导体器件的方法，具体地，涉及基板切割方法、使用该基板切割方法制造半导体器件的方法和/或通过这些方法制造的半导体芯片。

背景技术

一般地，半导体制造工艺包括分别被称为晶片级工艺和组装工艺的前段工艺和后段工艺。在前段工艺与后段工艺之间，执行基板切割工艺以将基板分离成半导体芯片或管芯。例如，通过使用切割机或激光束，基板沿着划片槽被切割。在这种情况下，基板被分割成彼此分离的半导体芯片或管芯。

发明内容

发明构思的实施方式提供了能够限制和/或防止切割裂纹破坏的基板切割方法和/或使用该基板切割方法制造半导体器件的方法。

根据发明构思的一实施方式，一种基板切割方法可以包括使用激光束在基板中形成改性图案、研磨基板的底表面以减薄基板、以及伸展基板以将基板分割成多个管芯。形成改性图案可以包括在基板中形成第一改性图案、以及将边缘聚焦光束提供到与第一改性图案交叉的区域以形成与第一改性图案接触的第二改性图案。

根据发明构思的一实施方式，一种基板切割方法可以包括使用激光装置在基板中形成改性图案、以及伸展基板以将基板分割成半导体芯片。激光装置可以包括光源、物镜、第一轴锥透镜和第二轴锥透镜。光源可以被配置为产生激光束。物镜可以在光源与基板之间。第一轴锥透镜和第二轴锥透镜可以在物镜与光源之间。第一轴锥透镜和第二轴锥透镜可以被配置为从激光束产生边缘聚焦光束。第一轴锥透镜和第二轴锥透镜可以分别包括第一倾斜表面和第二倾斜表面，第一倾斜表面和第二倾斜表面相对于激光束的光轴以51.3°的倾斜角倾斜。

根据发明构思的一实施方式，一种制造半导体器件的方法可以包括在基板上形成薄膜、以及切割基板以将基板分割成多个半导体芯片。切割基板可以包括使用激光束在基板中形成改性图案、研磨基板的底表面以减薄基板、以及伸展基板以将基板分割成所述多个半导体芯片。形成改性图案可以包括在基板中形成第一改性图案、以及将边缘聚焦光束提供到与第一改性图案交叉的区域以形成与第一改性图案接触的第二改性图案。

根据发明构思的一实施方式，一种半导体芯片可以包括基板和在基板上的薄膜。基板可以具有第一侧表面、第二侧表面以及在第一侧表面与第二侧表面之间的拐角。基板可以包括在第一侧表面上的第一改性图案和在第二侧表面上的第二改性图案。第一改性图案和第二改性图案可以在拐角处彼此接触。

附图说明

图1是示出根据发明构思的一实施方式的制造半导体器件的方法的流程图。

图2是示出形成在基板上的薄膜的示例的平面图。

图3是示出切割图2的基板以将基板分割成彼此间隔开的半导体芯片的示例操作的流程图。

图4和图5是放大的平面图，其中每个示出了图2的部分A。

图6是与图4的线I-I'对应的截面图。

图7至图9是与图5的线II-II'对应的截面图。

图10是示出在图2的基板中形成改性图案的示例操作的流程图。

图11是示出图6的中心聚焦光束的示例的示图。

图12是示出图7的边缘聚焦光束的示例的示图。

图13是显示提供到第二焦点的边缘聚焦光束的能量相对于图7的第一倾斜角和第二倾斜角的曲线图。

图14是显示提供到图7的第二焦点的中心聚焦光束的第一功率和边缘聚焦光束的第二功率的曲线图。