[发明专利]一种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法

权利要求书

1.一种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法，其特征在于，包括：

将氧化铋粉末和氯化钠颗粒混合均匀，得到第一混合料；

所述第一混合料中所述氧化铋粉末和所述氯化钠颗粒的质量比为110～120:1；

将所述第一混合料放置于双温区CVD管式炉第一温区内；

将衬底放置于所述双温区CVD管式炉第二温区内；

使所述双温区CVD管式炉内充盈预设纯度的且压强为175Pa～185Pa的第一惰性气体；

开启CVD加热模式，所述第一温区的加热速度为利用38min～42min时间由室温均匀升温到790℃～810℃，再利用2min～4min时间继续均匀升温到835℃～850℃，并在15～25min的时间内将温度保持在835℃～850℃；

所述第二温区加热的速度为利用13min～17min时间由室温均匀升温到290℃～310℃，再利用21min～25min时间由继续均匀升温到505℃～515℃，并在预设生长时间内将温度保持在505℃～515℃；

将氩气和氧气以110～130:30～60的流量比通入至所述双温区CVD管式炉内进行退火。

2.如权利要求1所述的化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法，其特征在于，还包括：将洁净的硅片放置于UV光清洗机中紫外加热清洗5～10min，得到所述衬底。

3.如权利要求2所述的化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法，其特征在于，

所述硅片的厚度为280～320nm；和/或，

所述硅片的长度为0.8～1.2cm；和/或，

所述硅片的宽度为0.8～1.2cm。

4.如权利要求2所述的化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法，其特征在于，还包括：对硅片进行清洗，得到洁净的硅片。

5.如权利要求4所述的化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法，其特征在于，对所述硅片进行清洗的步骤包括：

将所述硅片放置于丙酮溶液中进行超声清洗8min～12min；

之后将所述硅片放置于无水乙醇溶液中进行超声清洗8min～12min；

之后将所述硅片放置于去离子水中进行超声清洗8min～12min；

利用第二惰性气体将所述硅片吹干。

6.如权利要求5所述的化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法，其特征在于，所述第二惰性气体为氮气。

7.如权利要求1所述的化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法，其特征在于，使所述双温区CVD管式炉内预设纯度的充盈第一惰性气体包括：

将所述双温区CVD管式炉内的气体抽空，再对所述双温区CVD管式炉内填充第一惰性气体，反复多次，直至所述双温区CVD管式炉第一惰性气体的纯度达到预设纯度。

8.如权利要求1或7所述的化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法，其特征在于，所述第一惰性气体为氩气。

9.如权利要求1所述的化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法，其特征在于，还包括：在退火后，将所述双温区CVD管式炉打开，使所述双温区CVD管式炉内的温度冷却至室温。