[发明专利]一种N型单晶硅HBC太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种N型单晶硅HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

一、对N型单晶硅片进行预处理，在预处理后的N型单晶硅片的正面依次形成第一本征非晶硅层和减反层，在预处理后的N型单晶硅片的背面依次形成第二本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层和隔离层；

二、采用激光来刻蚀隔离层，刻蚀至第一掺杂非晶硅层的表面形成第一隔离槽，所述第一隔离槽与未被刻蚀的隔离层交替排列；

三、除去第一隔离槽内的第二本征非晶硅层和第一掺杂非晶硅层，将N型单晶硅裸露出来，形成第二隔离槽；

四、除去剩余的隔离层，将第一掺杂非晶硅层裸露出来；

五、在第二隔离槽的N型单晶硅片上依次形成第三本征非晶硅层和第二掺杂非晶硅层；

六、在第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层上形成透明导电膜层；

七、对透明导电膜层进行刻蚀，刻蚀至第一掺杂非晶硅层或第二掺杂非晶硅层，形成第三隔离槽，以将第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层上的透明导电膜层分开；

八、在第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层的透明导电膜层上分别形成金属电极。

2.如权利要求1所述的N型单晶硅HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(一)中，所述隔离层的材料选自氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的一种或几种，其厚度为50～100nm；

所述隔离层、第二本征非晶硅层和第一掺杂非晶硅层均采用PECVD沉积法形成。

3.如权利要求2所述的N型单晶硅HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(二)中，采用紫外皮秒激光来刻蚀隔离层，其中，激光波长为330～370nm，光斑的重叠度为5％～15％。

4.如权利要求3所述的N型单晶硅HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，光斑直径为10～20μm。

5.如权利要求4所述的N型单晶硅HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一隔离槽的宽度为10～20μm。

6.如权利要求1所述的N型单晶硅HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(三)中，采用碱液来刻蚀第一隔离槽内的第二本征非晶硅层和第一掺杂非晶硅层，所述碱液为10％～39％KOH溶液。

7.如权利要求1所述的N型单晶硅HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(四)中，采用酸液来除去剩余的隔离层，所述酸液为HF和HCl混合液。

8.如权利要求1所述的N型单晶硅HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(五)中，采用掩膜法在第二隔离槽的N型单晶硅片上依次形成第三本征非晶硅层和第二掺杂非晶硅层，其中，所述掩膜法包括：

(11)在第一掺杂非晶硅层上形成掩膜层；

(12)在掩膜层和第二隔离槽的N型单晶硅片上形成第三本征非晶硅层和第二掺杂非晶硅层；

(13)除去掩膜层及掩膜层上的第三本征非晶硅层和第二掺杂非晶硅层，将第一掺杂非晶硅层裸露出来。

9.如权利要求8所述的N型单晶硅HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(11)中，所述掩膜层的材料为油墨，其中，将油墨印刷在第一掺杂非晶硅层上，烘干后的油墨形成致密绝缘和耐酸腐蚀的掩膜层。

10.如权利要求8所述的N型单晶硅HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(13)中，采用碱液来除去掩膜层、第三本征非晶硅层和第二掺杂非晶硅层，将第三本征非晶硅层和第二掺杂非晶硅层保留在第二隔离槽内；

所述碱液为KOH溶液，浓度为1.5％～3％。

11.如权利要求1所述的N型单晶硅HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(六)中，所述透明导电膜层的材料选自氧化铟锡、氧化铟、掺钛氧化铟、掺铝氧化锌和掺钨氧化铟中的一种或几种，其厚度为10～150nm。

12.如权利要求1所述的N型单晶硅HBC太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(八)中，采用丝网印刷的方法在透明导电膜层上形成金属电极。