[发明专利]氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，

包含：

磷酸水溶液；以及

由下述化学式1及化学式2表示的化合物中的至少一种，

化学式1：

化学式2：

在上述化学式1及化学式2中，

X及Y分别独立地选自氢、卤素、羟基、胺基以及烷氧基，

A₁及A₂分别独立地表示C₁-C₄的烷基，

n及k分别独立地为1至3，

当上述n为2或3时，上述A₁相同或不同，

当上述k为2或3时，上述A₂相同或不同。

2.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，由上述化学式1表示的化合物为由下述化学式3表示的化合物，

化学式3：

X与上述化学式1中的定义相同，

t为1至4。

3.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，由上述化学式2表示的化合物为由下述化学式4表示的化合物，

化学式4：

X与上述化学式2中的定义相同，

p为1至4。

4.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，上述氮化硅膜蚀刻溶液包含总量为100ppm至600000ppm的由上述化学式1及化学式2表示的化合物。

5.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，上述氮化硅膜蚀刻溶液还包含选自氟化氢、氟化铵、二氟化铵以及氟化氢铵中的至少一种含氟化合物。

6.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，上述氮化硅膜蚀刻溶液还包含具有有机类阳离子与氟类阴离子离子键合形态的含氟化合物。

7.根据权利要求6所述的氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，上述有机类阳离子为选自烷基咪唑鎓、二烷基咪唑鎓、烷基吡啶鎓、烷基吡咯烷鎓、烷基磷鎓、烷基吗啉鎓以及烷基哌啶鎓中的至少一种。

8.根据权利要求6所述的氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，上述氟类阴离子为选自氟磷酸盐、氟烷基-氟磷酸盐、氟硼酸盐以及氟烷基-氟硼酸盐中的至少一种。

9.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括通过使用权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻溶液来执行的蚀刻工序。