[发明专利]一种纳米结构、其制备方法、显示面板及显示装置在审

专利信息
申请号: 202011096639.6 申请日: 2020-10-14
公开(公告)号: CN112241105A 公开(公告)日: 2021-01-19
发明(设计)人: 邓永 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;G02F1/1335;G02B5/30
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 徐世俊
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 结构 制备 方法 显示 面板 显示装置
【权利要求书】:

1.一种纳米结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供一基底;

在所述基底上形成金属层;

在所述金属层上形成压印胶;

提供一压印模板;利用所述压印模板在所述压印胶上形成凸部和凹部相间的预设图形;

移除凹部的压印胶,暴露出部分金属层;

对凸部的压印胶进行表面硬化处理;

蚀刻暴露出的金属层;

移除剩余压印胶。

2.如权利要求1所述的纳米结构的制备方法,其特征在于,所述表面硬化处理为等离子体处理、硬烘或离子注入。

3.如权利要求2所述的纳米结构的制备方法,其特征在于,所述表面硬化处理为等离子体处理,所述等离子体包括氦气或氩气中的一种以上。

4.如权利要求3所述的纳米结构的制备方法,其特征在于,所述氦气或氩气的流量为0-2000sccm,时间为5秒-300秒,温度为25℃-120℃。

5.如权利要求2所述的纳米结构的制备方法,其特征在于,所述表面硬化处理为离子注入,所述离子注入的离子束能量为5KeV至50KeV,所述离子注入的离子束剂量为1011cm-2至1017cm-2

6.如权利要求2所述的纳米结构的制备方法,其特征在于,所述表面硬化处理为硬烘,所述硬烘包括对压印胶的表面进行加热,所述加热的温度为100℃至200℃,所述加热时间为1秒-50秒。

7.如权利要求1所述的纳米结构的制备方法,其特征在于,所述压印胶的材料为热固性光刻胶或光敏性光刻胶。

8.如权利要求1所述的纳米结构的制备方法,其特征在于,所述在在压印胶上形成凸部和凹部相间的预设图形的具体步骤包括:将所述压印模板置于所述压印胶上,施加压力进行压合,然后经热固化或光固化,使所述压印胶固化,将所述压印模板上的图案转移到固化的压印胶上。

9.一种采用权利要求1至8任一项所述方法制备的纳米结构,其特征在于,包括基底以及设置在所述基底上的金属层,所述金属层具有多个间隔设置的凸起,其中,多个所述凸起的高度的相对偏差小于10%。

10.一种显示面板,其特征在于,包括:

相对设置的第一基板和第二基板;

液晶层,设置在所述第一基板和所述第二基板之间;

所述显示面板还包括至少一个线栅偏振片,所述线栅偏振片位于所述第一基板朝向或背离所述液晶层的一侧表面或/和所述第二基板朝向或背离所述液晶层的一侧表面,所述线栅偏振片具有如权利要求9所述的纳米结构。

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