[发明专利]背照式图像传感器的制造方法

权利要求书

1.一种背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上定义像素单元，像素单元包括MOS管区域和光电二极管区域；

在所述光电二极管区域对应的衬底内形成阱区，所述阱区的导电类型与衬底的导电类型相反；

在所述MOS管区域形成传输栅极；

在所述光电二极管区域对应的衬底表面形成增反层，所述增反层的折射率大于所述衬底的折射率，所述增反层的厚度为四分之一红光波长；

形成层间介质层，所述层间介质层的折射率小于所述增反层的折射率。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在光电二极管区域对应的衬底表面形成增反层，包括：

在所述衬底上形成硬掩膜层；

去除所述光电二极管区域对应的硬掩膜层；

通过外延生长工艺在所述光电二极管区域对应的表面形成增反层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底的材料为硅，所述增反层的折射率大于硅的折射率。

4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述增反层的材料为锗。

5.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述层间介质层的材料为二氧化硅。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述光电二极管区域对应的衬底内形成钉扎二极管。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成层间介质层之后，所述方法还包括：

在所述层间介质层上方形成金属互连层；

在所述金属互连层的上方形成钝化层；

在所述衬底的正面键合支撑基板；

对所述衬底的背面进行减薄处理。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，经过减薄处理后，所述衬底的厚度为5um。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述衬底的背面，形成与所述光电二极管区域对应的彩色滤光片；

在所述彩色滤光片上形成微透镜。