[发明专利]一种高稳定性低压差线性稳压器在审
申请号: | 202011096921.4 | 申请日: | 2020-10-14 |
公开(公告)号: | CN112162588A | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 王祥;丁锐;马炜华;乐春玲;金瑜军 | 申请(专利权)人: | 珠海海奇半导体有限公司 |
主分类号: | G05F1/575 | 分类号: | G05F1/575 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 陈慧华 |
地址: | 519000 广东省珠海市高新*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 稳定性 低压 线性 稳压器 | ||
1.一种高稳定性低压差线性稳压器,其特征在于,包括:
压差放大单元(100),其具有用于连接地线的接地端、用于连接第一供电电压的供电电压端、基准电压端、反馈输入端、输出端;所述压差放大单元(100)用于放大所述基准电压端和反馈输入端之间的压差;
镜像放大单元(200),其具有与所述压差放大单元(100)输出端连接的输入端、与所述地线连接的接地端、与所述第一供电电压连接的供电电压端、输出端、反馈输入端、反馈输出端;所述镜像放大单元(200)用于将其输入端的电流镜像放大;
镜像转换单元(300),其具有与所述镜像放大单元(200)输出端连接的输入端、与所述第一供电电压连接的第一供电电压端、用于连接第二供电电压的第二供电电压端、与地线连接的接地端、用于提供输出电压的输出端、第一反馈输出端、与所述镜像放大单元(200)的反馈输入端连接的第二反馈输出端;所述镜像转换单元(300)用于将所述第二供电电压和所述第一供电电压虚短、以及将其输入端的电流镜像;
取样单元(400),其具有第一连接端、第二连接端、反馈输出端,其第一连接端与所述镜像转换单元(300)的输出端连接,第二连接端与所述地线连接,反馈输出端与所述压差放大单元(100)的反馈输入端连接;所述取样单元(400)用于从所述输出电压中取样并输出至所述压差放大单元(100);
第一反馈单元(500),其连接在所述镜像放大单元(200)的反馈输出端与所述镜像放大单元(200)的输入端之间,用于矫正所述第二供电电压波动带来的误差;
第二反馈单元(600),其输入端与所述镜像转换单元(300)的第一反馈输出端连接,输出端与所述镜像放大单元(200)的输入端连接,所述第二反馈单元(600)用于提高所述输出电压的稳定性。
2.根据权利要求1所述的高稳定性低压差线性稳压器,其特征在于,所述压差放大单元(100)包括:
第一N沟道MOS管,其源极与所述地线连接,栅极与漏极连接;
第二N沟道MOS管,其源极与所述地线连接,栅极与所述第一N沟道MOS管的栅极连接,漏极用作所述压差放大单元(100)的输出端;
第一P沟道MOS管,其漏极与所述第一N沟道MOS管的漏极连接,栅极与所述取样单元(400)的反馈输出端连接;
第二P沟道MOS管,其漏极与所述第二N沟道MOS管的漏极连接,栅极用作所述压差放大单元(100)的基准电压端,源极与所述第一P沟道MOS管的源极连接;
第一电流源,其一端与所述第二P沟道MOS管的源极连接,另一端用于连接所述第一供电电压。
3.根据权利要求1所述的高稳定性低压差线性稳压器,其特征在于,所述镜像放大单元(200)包括:
第三N沟道MOS管,其栅极分别与所述压差放大单元(100)的输出端、第二反馈单元(600)的输出端连接,源极与所述地线连接;
第四N沟道MOS管,其栅极与所述第三N沟道MOS管的漏极连接,漏极与所述第三N沟道MOS管的栅极之间连接有所述第一反馈单元(500);
第五N沟道MOS管,其源极与所述地线连接,漏极与所述第四N沟道MOS管的源极连接,栅极与所述镜像转换单元(300)的第二反馈输出端连接;
第三P沟道MOS管,其漏极与所述第四N沟道MOS管的漏极连接,其栅极与漏极连接,其源极用于连接所述第一供电电压;
第四P沟道MOS管,其栅极与所述第三P沟道MOS管的栅极连接,其源极与所述第三P沟道MOS管的源极连接;
第六N沟道MOS管,其栅极分别与漏极、所述镜像放大单元(200)的输入端连接,漏极与所述第四P沟道MOS管的漏极连接,其源极与所述取样单元(400)的第一连接端连接;
第二电流源,其一端与所述第三N沟道MOS管的漏极连接,另一端用于连接所述第一供电电压。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海海奇半导体有限公司,未经珠海海奇半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011096921.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。