[发明专利]非易失性存储器件

说明书

本发明公开了一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件包括：模制结构，该模制结构包括在衬底上的多个栅电极，所述多个栅电极包括顺序地堆叠在衬底上的第一串选择线、第二串选择线和第三串选择线；沟道结构，其穿透模制结构并与每个栅电极相交；第一切割区域，其切割每个栅电极；第二切割区域，其在第一方向上与第一切割区域间隔开，并且切割每个栅电极；第一切割线，其在第一切割区域和第二切割区域之间切割第一串选择线；第二切割线，其在第一切割区域和第二切割区域之间切割第二串选择线；以及第三切割线，其在第一切割区域和第二切割区域之间切割第三串选择线。

技术领域

实施方式涉及非易失性存储器件及其制造方法。

背景技术

半导体存储器件可以大致分为易失性存储器件和非易失性存储器件。

非易失性存储器件的集成度正在增加，以满足消费者所需的优异性能和低成本。在二维或平面存储器件的情况下，集成度由单位存储单元占据的面积确定。近来，已经开发了其中单位存储单元被垂直放置的三维存储器件。

发明内容

实施方式可以通过提供一种非易失性存储器件来实现，该非易失性存储器件包括：模制结构，其包括在衬底上的多个栅电极，所述多个栅电极包括依次堆叠在衬底上的第一串选择线、第二串选择线和第三串选择线；沟道结构，其穿透模制结构并与所述多个栅电极中的每个相交；第一切割区域，其切割所述多个栅电极中的每个；第二切割区域，其在第一方向上与第一切割区域间隔开，并且切割所述多个栅电极中的每个；第一切割线，其在第一切割区域和第二切割区域之间切割第一串选择线；第二切割线，其在第一切割区域和第二切割区域之间切割第二串选择线；以及第三切割线，其在第一切割区域和第二切割区域之间切割第三串选择线，其中，第一切割线与第一切割区域间隔开第一距离并与第二切割区域间隔开第二距离，第二切割线与第一切割区域间隔开第三距离并与第二切割区域间隔开第四距离，第三切割线与第一切割区域间隔开第五距离并与第二切割区域间隔开第六距离，第一距离与第二距离之间的第一差大于第五距离与第六距离之间的第三差，以及第三距离与第四距离之间的第二差大于第三差。

实施方式可以通过提供一种非易失性存储器件来实现，该非易失性存储器件包括：模制结构，其包括在衬底上的多个栅电极，所述多个栅电极包括顺序地堆叠在衬底上的第一串选择线、第二串选择线和第三串选择线；沟道结构，其穿透模制结构并与所述多个栅电极中的每个相交；第一切割区域，其切割所述多个栅电极中的每个；第二切割区域，其在第一方向上与第一切割区域间隔开，并且切割所述多个栅电极中的每个；第一切割线，其在第一切割区域和第二切割区域之间切割第一串选择线；第二切割线，其在第一切割区域和第二切割区域之间切割第二串选择线；以及第三切割线，其在第一切割区域和第二切割区域之间切割第三串选择线，其中，第一切割线与第一切割区域间隔开第一距离并与第二切割区域间隔开第二距离，第二距离大于第一距离，第二切割线与第一切割区域间隔开第三距离并与第二切割区域间隔开第四距离，第四距离小于第三距离，第三切割线与第一切割区域间隔开第五距离，第五距离大于第一距离且大于第四距离，第三切割线与第二切割区域间隔开第六距离，第六距离大于第一距离且大于第四距离。

实施方式可以通过提供一种非易失性存储器件来实现，该非易失性存储器件包括：模制结构，其包括在衬底上的多个栅电极，所述多个栅电极包括顺序地堆叠在衬底上的第一串选择线、第二串选择线和第三串选择线；沟道结构，其穿透模制结构并与所述多个栅电极中的每个相交；第一切割线，其在与衬底的上表面平行的方向上延伸并切割第一串选择线；第二切割线，其在与衬底的上表面平行的方向上延伸并切割第二串选择线；以及第三切割线，其在与衬底的上表面平行的方向上延伸并切割第三串选择线，其中，从平面的视角来看，在第一切割线的一侧的第一串选择线的第一面积小于在第一切割线的另一侧的第一串选择线的第二面积；从平面的视角来看，在第二切割线的一侧的第二串选择线的第三面积大于在第二切割线的另一侧的第二串选择线的第四面积；从平面的视角来看，在第三切割线的一侧的第三串选择线的第五面积和在第三切割线的另一侧的第三串选择线的第六面积大于第一面积且大于第四面积。