[发明专利]一种薄膜体声波谐振器

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述薄膜体声波谐振器包括：

基底；

声反射结构，所述声反射结构从所述基底上表面向下嵌入所述基底中或设置于所述基底上方；

压电振动组件，所述压电振动组件设于所述声反射结构上方，所述压电振动组件包括压电功能膜、以及设置在所述压电功能膜两相对表面上的第一电极、第二电极；

质量负载环，所述质量负载环具有一通孔空腔，所述质量负载环设于所述压电振动组件的上方或下方；

隔离层，所述隔离层设于所述质量负载环与所述压电振动组件之间；

所述声反射结构、所述第一电极、所述压电功能膜与所述第二电极的投影重叠区域界定一有效区域；

所述质量负载环沿所述有效区域的边缘区域设置，所述质量负载环的内边沿小于所述有效区域的外边沿，所述质量负载环的外边沿大于、等于或者小于所述有效区域的外边沿。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电功能膜包括厚度方向压电膜区域和非厚度方向电压膜区域，所述厚度方向压电膜区域具有沿厚度方向的压电性能，所述非厚度方向压电膜区域不具有沿厚度方向的压电性能或者其沿所述厚度方向的压电性能较弱。

3.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电功能膜位于所述有效区域内的部分均为厚度方向压电膜。

4.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电功能膜位于有效区域的中心区域的部分为厚度方向压电膜，位于有效区域的中心区域之外的部分为非厚度方向压电膜。

5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述隔离层覆盖所述质量负载环的表面区域，并封闭所述通孔空腔的一个端口。

6.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述质量负载环设于所述第一电极下方，所述隔离层设于所述第一电极与所述质量负载环之间。

7.根据权利要求6所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声反射结构为空腔结构，所述空腔结构包括嵌入所述基底中或形成在所述基底上的第一空腔以及与所述第一空腔连通的所述通孔空腔。

8.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述质量负载环设于所述第二电极上方，所述隔离层设于所述第二电极与所述质量负载环之间。

9.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，在所述压电振动组件上方及下方均设置有所述隔离层以及所述质量负载环。

10.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述隔离层包含至少一层绝缘材料。

11.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述隔离层包含至少一层半导体材料。

12.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述质量负载环为一闭合环。

13.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述质量负载环为一具有至少一个开口的非闭合环。

14.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述质量负载环包含一层绝缘材料。

15.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述质量负载环包含一层导体材料。

16.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述质量负载环包含一层半导体材料。

17.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述质量负载环与所述隔离层为异种材料。

18.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述质量负载环与所述隔离层为同种材料。