[发明专利]InGaAs到InP界面生长的气流切换方法在审
| 申请号： | 202011097360.X | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112233966A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 周勇;赵红;吴唯;刘尚军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 李启林 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ingaas inp 界面 生长 气流 切换 方法 | ||
1.一种InGaAs到InP界面生长的气流切换方法,其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1、将InP衬底放入MOCVD设备反应室，在高温低压下消除InP衬底的表面杂质；
步骤S2、打开PH3源和TMIn源，生长InP缓冲层；
步骤S3、InP缓冲层生长完成后关闭PH3源和TMIn源；
步骤S4、打开TMIn源、TMGa源和AsH3源，生长InGaAs外延层；
步骤S5、InGaAs外延层生长完成后关闭TMIn源和TMGa源，并开始计时；
步骤S6、计时时间达到第一预设时间间隔后关闭AsH3源，并重新开始计时；
步骤S7、计时时间达到第二预设时间间隔后打开PH3源，并重新开始计时；
步骤S8、计时时间达到第三预设时间间隔后打开TMIn源，生长InP。
2.根据权利要求1所述的InGaAs到InP界面生长的气流切换方法，其特征在于，所述InP衬底的晶向为(001)。
3.根据权利要求1所述的InGaAs到InP界面生长的气流切换方法，其特征在于，在所述步骤S1中，在高温低压下消除InP衬底的表面杂质时，温度为600～800℃，压力为0～100mbar。
4.根据权利要求1所述的InGaAs到InP界面生长的气流切换方法，其特征在于，所述步骤S2中，生长InP缓冲层时的温度为500～700℃，InP缓冲层的厚度为100nm～1000nm。
5.根据权利要求1所述的InGaAs到InP界面生长的气流切换方法，其特征在于，所述第一预设时间间隔为0.1～1s。
6.根据权利要求1所述的InGaAs到InP界面生长的气流切换方法，其特征在于，所述第二预设时间间隔为0.1～1s。
7.根据权利要求1所述的InGaAs到InP界面生长的气流切换方法，其特征在于，所述第三预设时间间隔为0.1～1s。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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