[发明专利]光电器件及其制备方法

权利要求书

1.一种光电器件，其特征在于，包括波导层和光收发芯片，其中：

所述波导层，包括第一包层、第二包层、位于所述第一包层和所述第二包层之间的波导芯层、以及贯穿所述第一包层及所述波导芯层的斜槽，所述斜槽包括第一侧面和第二侧面，所述第一侧面靠近所述波导芯层的光路侧设置，所述第二侧面远离所述光路侧设置；

所述光收发芯片，设置于所述第一包层的远离所述波导芯层的一侧，并覆盖所述斜槽的开口，所述光路侧的传输光线经所述第一侧面反射后在所述波导层和所述光收发芯片之间传输。

2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，沿所述波导芯层中的光线传输方向，所述第一侧面与所述第二侧面之间的间距为15～30微米。

3.根据权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括连接件，所述连接件设置在所述第一包层的靠近所述光收发芯片的表面，且所述连接件设置在所述斜槽的开口的周侧；所述光收发芯片固定于所述连接件。

4.根据权利要求3所述的光电器件，其特征在于，所述连接件包括金属层和焊料层，所述金属层设置于所述第一包层的靠近所述光收发芯片的表面，所述焊料层设置于所述金属层的表面，所述光收发芯片焊接于所述焊料层。

5.根据权利要求1-4任一项所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括分波结构，所述分波结构设置于所述波导芯层的光路侧的端部；

所述分波结构包括多个光波传输口，所述波导芯层为多个，且多个所述波导芯层在所述第二包层表面间隔设置，所述分波结构的每个所述光波传输口对应连接一个所述波导芯层。

6.根据权利要求5所述的光电器件，其特征在于，任一所述波导芯层对应设置一个所述斜槽，或者，沿所述波导芯层的排列方向，一个所述斜槽贯通部分或所有所述波导芯层。

7.根据权利要求5所述的光电器件，其特征在于，任一所述波导芯层所对应的所述斜槽的开口处设置一个所述光收发芯片。

8.一种光电器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在波导层形成斜槽，其中，所述波导层包括第一包层、第二包层、以及位于所述第一包层和所述第二包层之间的波导芯层，所述斜槽贯穿所述第一包层及所述波导芯层，且所述斜槽包括第一侧面和第二侧面，所述第一侧面靠近所述波导芯层的光路侧设置，所述第二侧面远离所述光路侧设置；

将所述光收发芯片安装在所述波导层表面，且所述光收发芯片覆盖所述斜槽的开口，以使所述光路侧的传输光线经所述第一侧面反射后在所述波导层和所述光收发芯片之间传输。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述在波导层形成斜槽，包括：

使所述波导层相对于刻蚀方向倾斜设置，对所述波导层进行刻蚀处理，形成所述斜槽。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀处理包括离子刻蚀处理或激光刻蚀处理。

11.根据权利要求9或10所述的制备方法，其特征在于，对所述波导层进行刻蚀处理后，所述在波导层形成斜槽还包括：对形成的所述斜槽的第一侧面进行抛光处理。

12.根据权利要求8-11任一项所述的制备方法，其特征在于，在波导层形成斜槽前，所述制备方法还包括：

在所述波导层的表面形成连接件，且所述连接件设置在所述斜槽的开口周侧；

或者，

在波导层形成斜槽后，在将所述光收发芯片安装在所述波导层表面前，所述制备方法还包括：

在所述波导层的表面形成连接件，且所述连接件设置在所述斜槽的开口周侧。