[发明专利]一种碳包覆硅纳米颗粒及其制备方法、应用在审
| 申请号： | 202011097905.7 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112234173A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 梁风;张达;杨泻铖;马文会;杨斌;戴永年 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 徐凯凯;谢松 |
| 地址： | 650093 云南省昆明市学府*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳包覆硅 纳米 颗粒 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种碳包覆硅纳米颗粒的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供一由石墨和硅混合的块状物作为阳极，提供一石墨棒作为阴极，并将所述块状物与所述石墨棒置于电弧炉中；
将所述电弧炉抽真空并充入缓冲气体，其后，启动电弧，制备得到碳包覆硅纳米颗粒；
其中，所述块状物中石墨与硅的质量比为5～30:70～95。
2.根据权利要求1所述的碳包覆硅纳米颗粒的制备方法，其特征在于，所述块状物的厚度为0.1～2cm。
3.根据权利要求1所述的碳包覆硅纳米颗粒的制备方法，其特征在于，所述块状物与所述石墨棒在所述电弧炉内的间距为3～6mm。
4.根据权利要求1所述的碳包覆硅纳米颗粒的制备方法，其特征在于，所述缓冲气体为惰性气体或还原性气体中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的碳包覆硅纳米颗粒的制备方法，其特征在于，将所述电弧炉抽真空并充入缓冲气体后，所述电弧炉内的气压为20～70kPa。
6.根据权利要求1所述的碳包覆硅纳米颗粒的制备方法，其特征在于，所述电弧的放电电流为10～100A，所述电弧放电时间为1～30min。
7.一种碳包覆硅纳米颗粒，其特征在于，采用权利要求1～7所述的碳包覆硅纳米颗粒的制备方法制备而成。
8.一种碳包覆硅纳米颗粒的应用，其特征在于，将所述碳包覆硅纳米颗粒用于锂离子电池负极材料中。
9.根据权利要求8所述的碳包覆硅纳米颗粒的应用，其特征在于，所述锂离子电池负极材料内所述碳包覆硅纳米颗粒与导电剂及粘结剂的配比为8:1:1或9:0:1。
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