[发明专利]一种应用于HTCVD法生长碳化硅的气体提纯装置

说明书

本发明公开了一种应用于HTCVD法生长碳化硅的气体提纯装置，涉及碳化硅生产技术领域，具体为壳体和净化装置，所述壳体左端设置有加热端头，且加热端头内壁安置有加热丝，所述加热端头左端连接有进气端头，且进气端头左端连接有第一单向阀，所述壳体内部安置有冷凝管，该应用于HTCVD法生长碳化硅的气体提纯装置，设置的干燥箱内部存在的干燥球采用中性颗粒干燥剂，中性颗粒干燥剂一般可以干燥各种气体，可有效对反应气体进行进一步干燥处理，可通过拧松箱盖抓握把手将干燥箱从壳体内部进行拆卸，并通过滑开干燥箱底端下表面的封板对其内部的干燥球进行更换，从而保证干燥箱后续的干燥效果，干燥后的反应气体可有效保证碳化硅的生成效果。

技术领域

本发明涉及碳化硅生产技术领域，具体为一种应用于HTCVD法生长碳化硅的气体提纯装置。

背景技术

在高温化学气相沉积法(HTCVD)生长碳化硅晶体是指在密闭的反应器中，外部加热使反应室保持所需要的反应温度，反应气体SiH4由H2或He载带，途中和CH4混合，再一起2000～2300高温通如反应器中，反应气体在高温下分解生成碳化硅并附着在衬底材料表面，从而达到生长碳化硅的作用，在通入反应气体之前需要先经过气体提纯方可进入反应室中进行反应，所以一种应用于HTCVD法生长碳化硅的气体提纯装置显得尤为重要。

目前在运用HTCVD法生长碳化硅的过程中，其通入的反应气体中可能存在湿度较高的情况，或者内部的灰尘杂质导致反应气体纯度较低，从而影响到碳化硅生成的质量不佳，针对上述情况我们推出了一种应用于HTCVD法生长碳化硅的气体提纯装置显得尤为重要。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种应用于HTCVD法生长碳化硅的气体提纯装置，解决了上述背景技术中提出的目前在运用HTCVD法生长碳化硅的过程中，其通入的反应气体中可能存在湿度较高的情况，或者内部的灰尘杂质导致反应气体纯度较低，从而影响到碳化硅生成的质量不佳的问题。

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种应用于HTCVD法生长碳化硅的气体提纯装置，包括壳体和净化装置，所述壳体左端设置有加热端头，且加热端头内壁安置有加热丝，所述加热端头左端连接有进气端头，且进气端头左端连接有第一单向阀，所述壳体内部安置有冷凝管，且冷凝管外壁固定有铜片，所述铜片末端连接有导流片，且导流片的下方壳体内壁的上表面固定有导流底板，所述壳体下表面设置有排水口，且排水口下端连接有收集罐，所述冷凝管右方固定有第一隔板，且第一隔板外表面开设有通气口，所述壳体内部靠近第一隔板右侧安置有干燥箱，且干燥箱内部设置有干燥球，所述干燥箱上端设置有箱盖，且干燥箱底端下表面设置有封板，所述干燥箱右侧固定有第二隔板，且壳体上表面位于干燥箱和第二隔板间隙处连接有弯管，所述净化装置安置于第二隔板右侧，所述壳体下表面靠近净化装置的一方连接有出气端头，且出气端头下端连接有第二单向阀，所述第二单向阀下端连接有流量计。

可选的，所述加热端头内壁环绕分布有加热丝，且加热端头通过进气端头与第一单向阀之间构成固定连接，而且加热端头与壳体之间构成焊接一体化结构。

可选的，所述进气端头与第一单向阀之间为螺纹连接，且进气端头的中垂线与加热端头的中垂线相重合。

可选的，所述导流片关于冷凝管的竖直中心线呈对称分布，且冷凝管外壁环绕分布有铜片，而且导流片与铜片之间构成半包围结构。

可选的，所述导流底板呈倾斜结构，且导流底板与第一隔板之间呈垂直分布，而且第一隔板外表面均匀开设有通气口。

可选的，所述干燥箱外表面呈网口状，且干燥箱的网口直径小于干燥球的外口直径。

可选的，所述封板与干燥箱之间为活动连接，且干燥箱通过箱盖与壳体之间为固定结构。

可选的，所述净化装置包括箱壳、螺杆、压板和过滤片，所述箱壳内部连接有螺杆，且螺杆外表面设置有压板，所述压板下表面安置有过滤片。