[发明专利]用于电池保护开关的半导体器件

权利要求书

1.一种用于电池保护开关的半导体器件，其特征在于，包括：

第一元胞区，所述第一元胞区形成有第一MOS晶体管，所述第一MOS晶体管接收第一控制信号以使得所述第一MOS晶体管导通或关断；

第二元胞区，所述第二元胞区形成有第二MOS晶体管，所述第二MOS晶体管接收第二控制信号以使得所述第二MOS晶体管导通或关断，所述第一元胞区与所述第二元胞区相邻地设置；以及

第三元胞区，所述第三元胞区与所述第二元胞区相邻地设置，所述第三元胞区形成有开关，所述开关接收第三控制信号以进行以下控制：当所述第一MOS晶体管进行关断动作时，所述开关导通以使得所述第二MOS晶体管在所述第一MOS晶体管关断之前进行关断或者在所述第一MOS晶体管关断的同时进行关断。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一元胞区包括第一栅极区、第一源极区以及第一漏极区，所述第一元胞区中形成有第一寄生二极管，所述第一寄生二极管形成在所述第一源极区与所述第一漏极区之间。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二元胞区包括第二栅极区、第二源极区以及第一漏极区，所述第二元胞区中形成有第二寄生二极管，所述第二寄生二极管形成在所述第二源极区与所述第一漏极区之间。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一寄生二极管和所述第二寄生二极管构成反向串联结构，所述第一元胞区与所述第二元胞区共用所述第一漏极区。

5.根据权利要求2或3所述的半导体器件，其特征在于，还包括第四元胞区，所述第四元胞区与所述第一元胞区相邻地设置，第四元胞区中形成有保护二极管，所述第四元胞区包括第一源极区与第二漏极区，所述第四元胞区与所述第一元胞区共用第一源极区，所述第一元胞区的所述第一漏极区与所述第四元胞区的所述第二漏极区能够被连接，使得所述保护二极管与所述第一寄生二极管并联，使得当需要关断所述第二MOS晶体管时，通过在所述保护二极管上形成的电压使得所述第二MOS晶体管被快速关断。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第三元胞区包括第三栅极区、第二源极区以及第三漏极区，所述第三元胞区与所述第二元胞区共用所述第二源极区，所述第三元胞区的所述第三漏极区与所述第二元胞区的所述第二栅极区能够被连接。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述保护二极管为高压二极管。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，还包括衬底电极区，所述第一元胞区、第二元胞区、第三元胞区以及所述第四元胞区形成在公共衬底上。

9.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一MOS晶体管为NMOS晶体管，衬底为P型衬底；

所述第一元胞区包括第一栅极区、第一源极区以及第一漏极区，所述第一元胞区包括P型衬底以及介质层；

所述P型衬底与所述介质层之间至少形成N型漂移区，所述N型漂移区中形成有第一P型阱区，所述第一P型阱区中至少形成第一P型高掺杂区以及第一N型高掺杂区，所述第一P型阱区与所述P型衬底通过所述N型漂移区间隔，所述N型漂移区中形成有第二N型高掺杂区；

所述第一源极区形成在所述介质层上，所述第一源极区的至少一部分穿过所述介质层与所述第一N型高掺杂区接触以及与所述第一P型高掺杂区接触；

所述第一漏极区形成在所述介质层上，所述第一漏极区的至少一部分穿过所述介质层与所述第二N型高掺杂区接触；

所述第一栅极区形成在所述介质层中。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第二MOS晶体管为NMOS晶体管，衬底为P型衬底；

所述第二元胞区包括第二栅极区、第二源极区以及第一漏极区，所述第二元胞区包括P型衬底以及介质层；

所述P型衬底与所述介质层之间至少形成N型漂移区，所述N型漂移区中形成有第二P型阱区，所述第二P型阱区中至少形成第三P型高掺杂区以及第三N型高掺杂区，所述第二P型阱区与所述P型衬底通过所述N型漂移区间隔，所述N型漂移区中形成有第二N型高掺杂区；

所述第二源极区形成在所述介质层上，所述第二源极区的至少一部分穿过所述介质层与所述第三N型高掺杂区接触以及与所述第三P型高掺杂区接触；

所述第一漏极区形成在所述介质层上，所述第一漏极区的至少一部分穿过所述介质层与所述第二N型高掺杂区接触；

所述第二栅极区形成在所述介质层中。