[发明专利]一种半导体工业废水处理技术及回收利用工艺

权利要求书

1.一种半导体工业废水处理技术及回收利用工艺，其特征在于，其工艺步骤如下：

该半导体废水主要分三大类：包括含铜，镍，锡重金属废、含氟离子废水，其处理工艺流程如下：

S1：首先将切割研磨硅片产生的废水和纯水系统反洗及RO浓水，分流单独处理，重金金属废水和含氟离子废水集中单独处理后再集中处理，合格达到半导体废水排放标准再排放；

S2：研磨切割废水单独处理后合格部分回收利用。

2.根据权利要求1所述的一种半导体工业废水处理技术及回收利用工艺，其特征在于，含镍，铜废水处理工艺如下：

S1：先加入NaOH调节废水的PH，再利用Na2S(硫化钠)与废水中的镍离子反应生成沉淀，添加PAC,PAM，在调节池中形成絮凝；

S2：接着在沉淀池中使金属硫化物沉淀下来，经过砂滤去除废水中的悬浮物杂质，最后通过树脂对废水进行深度处理，使废水中的镍浓度达到上海半导体一级污染物排放标准。

3.根据权利要求1所述的一种半导体工业废水处理技术及回收利用工艺，其特征在于，含镍，铜废水处理工艺如下：

S1：先用NaOH调节PH，再添加Na₂S(硫化钠)反应，再添加PAC和PAM加速沉淀，砂滤，最后利用树脂交换器进行深度处理，保证出水离子浓度达标排放。

4.根据权利要求1所述的一种半导体工业废水处理技术及回收利用工艺，其特征在于，含氟废水处理为斜板沉淀法，其工艺流程如下：

S1：含氟离子废水和CaCl₂发生反应，控制PH值在10-11，保证投加过量的消石灰，通过化学反应生产了氟化钙沉淀；

S2：进入絮凝池，投加AL₂(SO₄)₂和PAM，结成大片絮凝物，控制PH值在7-8之间，落在斜板沉淀池内。

5.根据权利要求4所述的一种半导体工业废水处理技术及回收利用工艺，其特征在于：以上处理为一级处理工艺，出水水质F-含量10mg/L，符合排放标准；研磨废水和纯水排放废水一起处理，通过调节池，和浊度仪表查看浊度情况，如果浊度合格，通过2#调节池之后再次调节均匀，再次进入3#调节池，如果水质不合格的情况下，需要回流至1#调节池；重金属废水和含氟废水通过上述方法处理后，再添加AL₂(SO₄)₃和PAM后，再次处理后，出水水质的含氟量和金属含量得到有效控制。

6.根据权利要求1所述的一种半导体工业废水处理技术及回收利用工艺，其特征在于：本回收利用工艺采用的是UF膜加RO膜的方法，所谓滤膜过滤就是利用连续组织间的孔和分子排列间隙进行分离操作，UF膜具孔径0.001μm～0.01μm，膜丝内径0.8mm，从而保证原水中所有尺寸超过膜孔径的颗粒，如胶体，细菌等被完全过滤掉，保证通过膜的出水浊度可以控制到1NTU以下，出水水质较好，甚至可以作为纯水系统的原用水。