[发明专利]负极、电化学装置和电子装置

权利要求书

1.一种负极，其特征在于，包括：

集流体；

活性物质层，设置在所述集流体上，所述活性物质层的离子电导率为0.01S/m至1S/m；

其中，所述活性物质层包括活性物质和多孔材料，所述活性物质的平均粒径与所述多孔材料的平均粒径的比值小于或等于0.8，或者为1.3至3.8。

2.根据权利要求1所述的负极，其中，所述活性物质层的孔隙率为20％至40％。

3.根据权利要求1所述的负极，其中，所述活性物质的平均粒径与所述多孔材料的平均粒径的比值小于或等于0.6。

4.根据权利要求1所述的负极，其中，所述活性物质的平均粒径与所述多孔材料的平均粒径的比值为1.5至2.5。

5.根据权利要求3或4所述的负极，其中，所述负极满足以下条件中的至少一个：

所述活性物质的平均粒径为15μm至70μm；

所述活性物质包括石墨和/或硅基材料；

所述多孔材料的平均粒径小于100μm；

所述多孔材料包括多孔陶瓷、活性炭、中间相碳微球、导电碳或埃洛石纳米管中的至少一种；

基于所述活性物质层的质量，所述多孔材料的质量含量为0.5％至20％；

所述多孔材料的比表面积大于1.5m²/g。

6.一种电化学装置，其特征在于，包括根据权利要求1至5中任一项所述的负极。

7.根据权利要求6所述的电化学装置，还包括电解液，其中，所述电解液包括含S＝O双键化合物。

8.根据权利要求7所述的电化学装置，其中，所述含S＝O双键化合物包括环状硫酸酯、链状硫酸酯、链状磺酸酯、环状磺酸酯、链状亚硫酸酯或环状亚硫酸酯中的至少一种。

9.根据权利要求7所述的电化学装置，其中，所述含S＝O双键化合物包括式1化合物中的至少一种：

其中，W选自

L选自单键或亚甲基；

m为1至4的整数；

n为0至2的整数；且

p为0至6的整数。

10.根据权利要求9所述的电化学装置，其中，所述式1化合物选自以下化合物的至少一种：

11.根据权利要求9所述的电化学装置，其中，所述含S＝O双键化合物在所述电解液中的质量百分含量y与所述负极的比表面积Sm²/g的关系满足：1.4≤y×100/S≤3.6。

12.一种电子装置，其特征在于，包括根据权利要求6至11中任一项所述的电化学装置。