[发明专利]增强铜电镀的方法

权利要求书

1.一种方法，其包括：

a)提供包含铜的基材；

b)将组合物施加到所述基材的铜上以增加暴露的具有晶面(111)取向的铜晶粒，其中所述组合物由水、晶面(111)取向富集化合物、任选地pH调节剂、任选地氧化剂以及任选地表面活性剂组成；以及

c)用铜电镀浴在所述具有增加的暴露的具有晶面(111)取向的铜晶粒的铜上电镀铜。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述晶面(111)取向晶粒富集化合物是季胺。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述季胺具有下式：

其中R¹-R⁴独立地选自氢、C₁-C₄烷基和苄基，其前提是R¹-R⁴中最多三个可以同时是氢。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述组合物进一步由所述氧化剂组成。

5.如权利要求4所述的方法，其中，所述氧化剂是选自由以下组成的组的金属离子：铜(II)、铈(IV)、钛(IV)、铁(III)、锰(IV)、锰(VI)、锰(VII)、钒(III)、钒(V)、镍(II)、镍(IV)、钴(III)、银(I)、钼(IV)、金(I)、钯(II)、铂(II)、铱(I)、锗(II)、铋(III)、及其混合物。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述金属离子是铜(II)，其浓度为1ppm或更大。

7.如权利要求4所述的方法，其中，所述氧化剂是选自由以下组成的组的化合物：过氧化氢、单过硫酸盐、碘酸盐、氯酸盐、过邻苯二甲酸镁、过乙酸、过硫酸盐、溴酸盐、过溴酸盐、过乙酸、过碘酸盐、卤素、次氯酸盐、硝酸盐、硝酸、苯醌、二茂铁、二茂铁的衍生物、及其混合物。

8.一种方法，其包括：

a)提供包含铜的基材；

b)选择性地将组合物施加到所述基材的铜上以增加暴露的具有晶面(111)取向的铜晶粒，其中所述组合物由水、晶面(111)取向富集化合物、任选地pH调节剂、任选地氧化剂以及任选地表面活性剂组成；以及

c)用铜电镀浴在所述基材的具有增加的暴露的具有晶面(111)取向的铜晶粒的铜上以及所述基材的场铜上电镀铜，其中在用所述组合物处理过的铜上电镀的铜以比在所述场铜上电镀的铜更快的速率电镀。

9.如权利要求8所述的方法，所述晶面(111)取向化合物是季胺。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述季胺具有下式：

其中R¹-R⁴独立地选自氢、C₁-C₄烷基和苄基，其前提是R¹-R⁴中最多三个可以同时是氢。

11.如权利要求8所述的方法，其中，所述组合物进一步由氧化剂组成。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述氧化剂是选自由以下组成的组的金属离子：铜(II)、铈(IV)、钛(IV)、铁(III)、锰(IV)、锰(VI)、锰(VII)、钒(III)、钒(V)、镍(II)、镍(IV)、钴(III)、银(I)、钼(IV)、金(I)、钯(II)、铂(II)、铱(I)、锗(II)、铋(III)、及其混合物。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述金属离子是铜(II)，其浓度为1ppm或更大。