[发明专利]晶体涂膜元件及其制备方法、晶体膜系

权利要求书

1.一种晶体涂膜元件，其特征在于，所述晶体涂膜元件包括：

晶体基底；

覆盖于所述晶体基底的匹配膜，所述匹配膜的材料为聚甲基硅氧烷与SiO₂的混合物；以及

覆盖于所述匹配膜的减反膜，所述减反膜的材料包括SiO₂；

其中，所述聚甲基硅氧烷的重均分子量为5000-8000；

所述晶体涂膜元件还包括位于所述匹配膜与所述减反膜之间的至少一层缓冲膜；所述缓冲膜的材料为聚甲基硅氧烷与SiO₂的混合物；所述缓冲膜与所述匹配膜的折射率不相同；每层所述缓冲膜的折射率不完全相同；所述晶体涂膜元件包括多层所述减反膜，每层所述减反膜的折射率不完全相同；

所述匹配膜的膜厚为110-120nm，所述匹配膜的折射率为1.35-1.44；所述减反膜的膜厚为130-137nm，所述减反膜的折射率为1.12-1.25。

2.根据权利要求1所述的晶体涂膜元件，其特征在于，所述晶体基底的材料为三硼酸锂晶体、β相偏硼酸钡晶体或者磷酸二氢钾晶体。

3.根据权利要求1或2所述的晶体涂膜元件，其特征在于，所述匹配膜的膜厚为113.2nm，所述匹配膜的折射率为1.42；所述减反膜的膜厚为134.3nm，所述减反膜的折射率为1.19。

4.一种晶体涂膜元件的制备方法，其特征在于，包括：

将含有聚甲基硅氧烷与SiO₂的第一溶胶在晶体基底表面成膜后固化得到匹配膜；

然后将含有SiO₂的第二溶胶在匹配膜表面成膜后固化得到减反膜；

其中，所述聚甲基硅氧烷的重均分子量为5000-8000；所述匹配膜的膜厚为110-120nm，所述匹配膜的折射率为1.35-1.44；所述减反膜的膜厚为130-137nm，所述减反膜的折射率为1.12-1.25。

5.根据权利要求4所述的晶体涂膜元件的制备方法，其特征在于，形成所述匹配膜之后且形成所述减反膜之前还包括：在所述匹配膜表面形成至少一层缓冲膜；

其中，所述缓冲膜的制备步骤包括：将含有聚甲基硅氧烷与SiO₂的第三溶胶成膜后固化得到所述缓冲膜。

6.根据权利要求5所述的晶体涂膜元件的制备方法，其特征在于，

在所述第一溶胶与所述第三溶胶中所述聚甲基硅氧烷与所述SiO₂的比例不相同。

7.根据权利要求5所述的晶体涂膜元件的制备方法，其特征在于，制备每一层所述缓冲膜所使用的第三溶胶中所述聚甲基硅氧烷与所述SiO₂的比例不相同。

8.根据权利要求4所述的晶体涂膜元件的制备方法，其特征在于，所述匹配膜的膜厚为113.2 nm，所述匹配膜的折射率为1.42；所述减反膜的膜厚为134.3nm，所述减反膜的折射率为1.19。

9.根据权利要求4所述的晶体涂膜元件的制备方法，其特征在于，

所述第一溶胶中SiO₂的粒度为55 nm~78 nm，粘度为1.82 cp~1.98 cp。

10.根据权利要求4所述的晶体涂膜元件的制备方法，其特征在于，所述第二溶胶中SiO₂的粒度为55 nm~70 nm，粘度为1.64 cp~1.69 cp。

11.根据权利要求4所述的晶体涂膜元件的制备方法，其特征在于，所述第一溶胶中所述聚甲基硅氧烷与SiO₂的质量比为1: (0.1-2)。