[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置有效
申请号: | 202011101909.8 | 申请日: | 2020-10-15 |
公开(公告)号: | CN112234085B | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 崔颖 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 付生辉 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底;
间隔设置在所述衬底上的多个第一电极;
设置在各第一电极上的像素限定层,像素限定层限定出多个像素开口,每个第一电极在所述衬底上的正投影覆盖对应的像素开口在所述衬底上的正投影;
设置在各像素开口内的发光层,并且沿第一方向相邻的至少两个像素开口内的发光层的颜色相同,沿第二方向相邻的至少两个像素开口内的发光层的颜色不同,所述第一方向和第二方向垂直;
每个像素开口对应的像素限定层包括第一子部、第二子部和第三子部,其中:
所述第一子部设置在不同颜色发光层的相邻两个像素开口之间,并且所述第一子部在垂直于所述衬底所在平面方向上具有第一高度;
所述第二子部和第三子部设置在相同颜色发光层的相邻两个像素开口之间,所述第二子部位于所述第一子部和第三子部之间,并且所述第二子部在垂直于所述衬底所在平面方向上具有第二高度,所述第三子部在垂直于所述衬底所在平面方向上具有第三高度,所述第三高度小于第一高度,第二高度小于第三高度并且第二高度大于0。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素开口具有长边和短边,所述第一子部在所述衬底的正投影与设置有不同颜色发光层的相邻两个像素开口的长边在所述衬底的正投影重合,所述第二子部和第三子部在所述衬底的正投影与设置有相同颜色发光层的相邻两个像素开口的短边在所述衬底的正投影重合。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括阵列排布的多个重复单元,每个重复单元沿第二方向包括具有不同颜色发光层的多个像素开口。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述重复单元包括第一颜色发光层、第二颜色发光层和第三颜色发光层。
5.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-4中任一项所述的阵列基板。
6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求5所述的显示面板。
7.一种制作权利要求1-4中任一项所述的阵列基板的方法,其特征在于,包括:
在衬底上形成间隔设置的多个第一电极;
在各所述第一电极上形成像素限定材料层;
图案化所述像素限定材料层形成像素限定层,所述像素限定层限定出多个像素开口,每个第一电极在所述衬底上的正投影覆盖对应的像素开口在所述衬底上的正投影,每个像素开口对应的像素限定层包括第一子部、第二子部和第三子部;
通过喷墨在各像素开口内形成发光层,其中,沿第一方向相邻的至少两个像素开口内的发光层的颜色相同,沿第二方向相邻的至少两个像素开口内的发光层的颜色不同,所述第一方向和第二方向垂直,所述第一子部设置在不同颜色发光层的相邻两个像素开口之间,并且所述第一子部在垂直于所述衬底所在平面方向上具有第一高度,所述第二子部和第三子部设置在相同颜色发光层的相邻两个像素开口之间,所述第二子部位于所述第一子部和第三子部之间,并且所述第二子部在垂直于所述衬底所在平面方向上具有第二高度,所述第三子部在垂直于所述衬底所在平面方向上具有第三高度,所述第三高度小于第一高度,第二高度小于第三高度并且第二高度大于0。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述图案化所述像素限定材料层形成像素限定层进一步包括:
通过具有不同透过率的掩模板形成像素限定层,其中,所述像素限定层的第一子部对应所述掩模板的第一透过率,所述像素限定层的第二子部对应所述掩模板的第二透过率,所述像素限定层的第三子部对应所述掩模板的第三透过率,所述第一透过率为0,所述第三透过率大于所述第一透过率,所述第二透过率大于第三透过率且小于100%。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述图案化所述像素限定材料层形成像素限定层进一步包括:
分别通过不同的掩模板图案化所述像素限定材料层以形成像素限定层的第一子部、第二子部和第三子部。
10.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在所述通过喷墨在各像素开口内形成发光层之后,所述方法还包括:
在所述发光层上形成其它发光功能层;
封装所述阵列基板。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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