[发明专利]一种基于跨导增益负反馈机理的栅源电压扰动抑制电路

权利要求书

1.一种基于跨导增益负反馈机理的栅源电压扰动抑制电路，用于驱动被驱动功率MOSFET(Q₁)，被驱动功率MOSFET(Q₁)通过驱动芯片作开关动作，其特征在于：包括一驱动管(Q₂)；通过驱动管(Q₂)的跨导增益，经过被驱动功率MOSFET(Q₁)内部寄生电阻，产生位移电流，对被驱动功率MOSFET(Q₁)的寄生输入电容充放电。

2.如权利要求1所述的一种基于跨导增益负反馈机理的栅源电压扰动抑制电路，其特征在于：还包括驱动电阻(R_g2)、驱动电阻(R_g1)、开通偏置电压以及关断偏置电压，所述驱动芯片输出电源正端口连接至开通偏置电压的正极，所述驱动芯片输出电源负端口连接至关断偏置电压的负极，所述驱动芯片的驱动输出端口连接至所述被驱动功率MOSFET(Q₁)的栅极，所述驱动芯片的驱动输出端口连接至所述驱动管(Q₂)的栅极，所述驱动管(Q₂)的源极连接至所述被驱动功率MOSFET(Q₁)的栅极，所述驱动管(Q₂)的漏极连接至所述关断偏置电压的负极，所述开通偏置电压负极以及关断偏置电压的正极均连接至所述被驱动功率MOSFET(Q₁)的源极。

3.如权利要求2所述的一种基于跨导增益负反馈机理的栅源电压扰动抑制电路，其特征在于：还包括驱动电阻(R_g1)；所述驱动芯片的驱动输出端口通过驱动电阻(R_g1)连接至所述被驱动功率MOSFET(Q₁)的栅极。

4.如权利要求2所述的一种基于跨导增益负反馈机理的栅源电压扰动抑制电路，其特征在于：还包括驱动电阻(R_g2)；所述驱动芯片的驱动输出端口通过驱动电阻(R_g2)连接至所述驱动管(Q₂)的栅极。

5.如权利要求1所述的一种基于跨导增益负反馈机理的栅源电压扰动抑制电路，其特征在于：所述被驱动功率MOSFET(Q₁)和驱动管(Q₂)具有对偶的沟道特性，即当被驱动功率MOSFET(Q₁)为N沟道时，驱动管(Q₂)为P沟道；当被驱动功率MOSFET(Q₁)为P沟道时，驱动管(Q₂)为N沟道。