[发明专利]光刻胶热熔法制备硅微透镜产品的方法及系统

权利要求书

1.一种光刻胶热熔法制备硅微透镜产品的方法，其特征在于包括：

在基片上均匀涂覆光刻胶，并依次进行光刻、显影处理，从而在基片上形成由光刻胶材料构成的光刻胶胶柱结构；

将所述光刻胶胶柱结构以光刻胶胶柱结构的表面朝下的方式放置于真空环境内的支撑装置上，以支撑装置对所述光刻胶胶柱结构进行支撑，使所述支撑装置的支撑端部与所述光刻胶胶柱结构表面接触；

使所述真空环境的温度升温至40～60℃，之后升温至120～140℃并保持12～20min，获得具有球面结构的硅微透镜产品；

其中，所述光刻胶的涂覆厚度为15～30μm；所述基片的材质为硅片；所述硅微透镜产品的直径为200～800μm，所述硅微透镜产品的胶球球面与标准球面相比，偏差小于50nm。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述支撑装置包括支撑基体，以及设置于所述支撑基体上的一个以上的支撑件。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于还包括：对获得的具有球面结构的硅微透镜产品从基片上进行转移。

4.一种光刻胶热熔法制备硅微透镜产品的系统，其主要应用于权利要求1-3中任一项所述方法中，其特征在于，所述系统包括：

光刻胶涂覆装置，其至少用以将光刻胶均匀涂覆于基片上；

光刻装置，其至少用以对涂覆于基片上的光刻胶进行光刻处理；

显影装置，其至少用以对光刻处理后的光刻胶进行显影处理，从而获得由光刻胶材料构成的光刻胶胶柱结构；

支撑装置，其至少用以在将所述光刻胶胶柱结构倒置于真空环境时对其提供支撑；

真空加热装置，其至少提供真空环境，并对真空环境内的温度进行控制，先升温至40～60℃，之后升温至120～140℃并保持12～20min。

5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于：所述支撑装置为支撑基体，以及设置于所述支撑基体上的一个以上的支撑件；

和/或，所述真空加热装置为真空干燥箱；

和/或，所述系统还包括分离装置，其至少用以将获得的具有球面结构的硅微透镜产品从基片上进行转移。

6.根据权利要求5所述的系统，其特征在于：所述支撑 装置为三脚支架。