[发明专利]MZ电光调制器及其制备方法

权利要求书

1.一种MZ电光调制器，其特征在于：所述MZ电光调制器包括从下至上的硅衬底、埋氧层、辐射加固层、硅层及氧化硅层；所述硅层中包括相位调制器，所述相位调制器包括第一导电类型掺杂区及第二导电类型掺杂区；所述氧化硅层中包括贯穿所述氧化硅层的电极，所述电极包括与所述第一导电类型掺杂区相接触的第一电极及与所述第二导电类型掺杂区相接触的第二电极。

2.根据权利要求1所述的MZ电光调制器，其特征在于：所述辐射加固层中的掺杂离子包括硅离子或氮离子或氮氧离子中的一种。

3.根据权利要求1所述的MZ电光调制器，其特征在于：所述第一导电类型掺杂区中包括第一凹槽，所述第二导电类型掺杂区中包括第二凹槽。

4.根据权利要求1所述的MZ电光调制器，其特征在于：所述第一导电类型掺杂区包括掺杂浓度不同的第一导电类型掺杂一区、第一导电类型掺杂二区及第一导电类型掺杂三区，所述第二导电类型掺杂区包括掺杂浓度不同的第二导电类型掺杂一区、第二导电类型掺杂二区及第二导电类型掺杂三区。

5.根据权利要求1所述的MZ电光调制器，其特征在于：所述相位调制器包括PN相位调制器或PIN相位调制器。

6.根据权利要求1～5中任一所述的MZ电光调制器，其特征在于：所述MZ电光调制器包括单个MZ电光调制器或级联MZ电光调制器。

7.一种MZ电光调制器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供SOI衬底，所述SOI衬底包括从下至上的硅衬底、埋氧层及硅层；

进行离子注入及退火工艺，以于所述埋氧层中形成辐射加固层；

图形化所述硅层，并进行第一导电类型离子注入及第二导电类型离子注入，以形成包括第一导电类型掺杂区及第二导电类型掺杂区的相位调制器；

沉积氧化硅层，以覆盖所述硅层；

形成贯穿所述氧化硅层的电极，所述电极包括与所述第一导电类型掺杂区相接触的第一电极及与所述第二导电类型掺杂区相接触的第二电极。

8.根据权利要求7所述的MZ电光调制器的制备方法，其特征在于，形成SOI衬底及辐射加固层的步骤包括：

提供硅衬底，并于所述硅衬底上形成氧化硅介电层；

进行离子注入及退火工艺，以于所述氧化硅介电层中形成辐射加固层；

采用键合工艺形成硅层。

9.根据权利要求7所述的MZ电光调制器的制备方法，其特征在于：形成所述辐射加固层所采用的掺杂离子包括硅离子或氮离子或氮氧离子中的一种。

10.根据权利要求7所述的MZ电光调制器的制备方法，其特征在于：所述退火工艺的温度范围包括900℃～1100℃。

11.根据权利要求7所述的MZ电光调制器的制备方法，其特征在于：图形化所述硅层的步骤中包括于所述硅层中形成第一凹槽及第二凹槽的步骤。

12.根据权利要求7所述的MZ电光调制器的制备方法，其特征在于：进行所述第一导电类型离子注入的步骤中包括形成掺杂浓度不同的第一导电类型掺杂一区、第一导电类型掺杂二区及第一导电类型掺杂三区的步骤，进行所述第二导电类型离子注入的步骤中包括形成掺杂浓度不同的第二导电类型掺杂一区、第二导电类型掺杂二区及第二导电类型掺杂三区的步骤。