[发明专利]一种GaAs基915nm/976nm大功率双波长激光器外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种GaAs基915nm/976nm大功率双波长激光器外延片，其特征在于，在GaAs衬底上由下至上依次包括GaAs缓冲层、Al_x1Ga_1-x1As下限制层、Al_x2Ga_1-x2As下波导层、In_z1Ga_1-z1As量子阱、Al_x3Ga_1-x3As上波导层、Al_x4Ga_1-x4As上限制层、p+GaAs低掺层、p++GaAs高掺层、n++GaAs高掺层、Al_y1Ga_1-y1As下波导层、In_z2Ga_1-z2As量子阱、Al_y2Ga_1-y2As上波导层、Al_y3Ga_1-y3As上限制层和GaAs帽层，其中，0.1≤x1≤0.3，0.1≤x2≤0.2，0.1≤x3≤0.2，0.6≤x4≤0.8，0.1≤z1≤0.15，0.1≤z2≤0.3，0.1≤y1≤0.3，0.1≤y2≤0.3，0.7≤y3≤0.9。

2.如权利要求1所述的GaAs基915nm/976nm大功率双波长激光器外延片，其特征在于，Al_x2Ga_1-x2As下波导层，厚度为0.7-1.4um，掺杂浓度为4E16-1E17个原子/cm³；

优选的，Al_x2Ga_1-x2As下波导层，厚度为1.2um，掺杂浓度为1E17个原子/cm³。

3.如权利要求1所述的GaAs基915nm/976nm大功率双波长激光器外延片，其特征在于，Al_x3Ga_1-x3As上波导层,厚度为0.3-0.6um，掺杂浓度为4E16-1E17个原子/cm³；

优选的，Al_x3Ga_1-x3As上波导层,厚度为0.6um，掺杂浓度为5E16个原子/cm³。

4.如权利要求1所述的GaAs基915nm/976nm大功率双波长激光器外延片，其特征在于，Al_y1Ga_1-y1As下波导层，厚度为2-2.5um，掺杂浓度为4E16-1E17个原子/cm³；

优选的，Al_y1Ga_1-y1As下波导层，厚度为2.2um，掺杂浓度为1E17个原子/cm³。

5.如权利要求1所述的GaAs基915nm/976nm大功率双波长激光器外延片，其特征在于，Al_y2Ga_1-y2As上波导层，厚度为0.3-0.5um，掺杂浓度为4E16-1E17个原子/cm³；

优选的，Al_y2Ga_1-y2As上波导层，厚度为0.4um，掺杂浓度为5E16个原子/cm³。

6.如权利要求1所述的GaAs基915nm/976nm大功率双波长激光器外延片，其特征在于，Al_x1Ga_1-x1As下限制层，厚度为1-1.5um，掺杂浓度为2E17-1E18个原子/cm³；

优选的，Al_x1Ga_1-x1As下限制层，厚度为1.3um，x1＝0.3，掺杂浓度为1E18个原子/cm³。