[发明专利]一种MOSFET栅源电压响应高频脉冲干扰的方法

权利要求书

1.一种MOSFET栅源电压响应高频脉冲干扰的方法，其特征在于：

将受到干扰的栅源电压划分为干扰动态分量以及稳态分量；

根据干扰动态分量以及稳态分量建立栅源电压的动态响应模型；

所述干扰动态分量包含动态功率回路传递函数以及动态驱动回路传递函数，所述稳态分量为不考虑干扰的理想情况，具体包含稳态驱动回路传递函数；所述动态响应模型进一步具体为：

式中，v_GS(s)表示栅源电压的复频域形式，G_o(s)表示动态功率回路传递函数，G_i(s)表示动态驱动回路传递函数，G_d(s)表示稳态驱动回路传递函数，v_dis表示脉冲电压干扰源，v_GS*表示驱动芯片输出的驱动信号，s为复频域。

2.根据权利要求1所述的一种MOSFET栅源电压响应高频脉冲干扰的方法，其特征在于：所述动态功率回路传递函数G_o(s)，其解析表达式为：

式中：L_o表示功率回路电感，所述功率回路电感L_o包括MOS引脚电感L_d、引线电感L_s以及杂散电感L_σ，即L_o＝L_d+L_σ+L_s，R_o表示功率回路电阻，包括PCB引线电阻、MOSFET的导通电阻，C_oss为MOSFET输出电容，s为复频域。

3.根据权利要求1所述的一种MOSFET栅源电压响应高频脉冲干扰的方法，其特征在于：所述动态驱动回路传递函数G_i(s)，其解析表达式为：

式中，R表示驱动回路电阻，R_g表示MOSFET栅极内电阻，C_rss和C_iss表示MOSFET结电容，C_a表示栅源极并联辅助电容，L_i表示驱动回路电感，包括栅极引脚寄生电感L_g以及源极引脚上的驱动回路电感L_s，s为复频域。

4.根据权利要求1所述的一种MOSFET栅源电压响应高频脉冲干扰的方法，其特征在于：所述稳态驱动回路传递函数G_d(s)，其解析表达式为：

式中，R表示驱动回路电阻，R_g表示MOSFET栅极内电阻，C_iss表示MOSFET结电容，C_a表示栅源极并联辅助电容，s为复频域。