[发明专利]一种被动淬灭电路

说明书

本申请公开了一种被动淬灭电路，所述电路包括：恒流元件、雪崩光电二极管；其中，所述恒流元件与所述雪崩光电二极管串联。本申请通过将所述恒流元件替换传统电路中使用的淬灭电阻，从而解决现有技术中存在的淬灭恢复慢、死时间长、光计数率低的问题。

技术领域

本申请涉及一种光电探测领域，尤其涉及一种被动淬灭电路。

背景技术

雪崩光电二级管(APD)是一种具有光探测功能的二极管，属于光敏元件。在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后，射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。加大反向偏压会产生“雪崩”(即光电流成倍地激增)的现象。因此这种二极管被称为雪崩光电二极管。

在实际应用中，APD如果要实现反复光探测功能，就需要对其进行被动淬灭。传统的被动淬灭电路中，通过给APD元件串联一个电阻来实现淬灭功能。但是该被动淬灭电路在发生雪崩后淬灭恢复慢，死时间较长，光计数低。

发明内容

为解决上述问题，本发明提出了一种被动淬灭电路，具体采用了如下的技术方案：

一种被动淬灭电路，其特征在于，所述电路包括：恒流元件、雪崩光电二极管；其中，

所述恒流元件与所述雪崩光电二极管串联。

可选地，所述雪崩光电二极管的阴极与所述恒流元件的阴极相连接。

可选地，所述电路还包括电源，

所述雪崩二极管的阳极与所述电源的负极相连接；

所述恒流元件的阳极与所述电源的正极相连接。

可选地，所述恒流元件为恒流二极管。

可选地，所述电路还包括取样电阻，所述取样电阻连接于所述电源的负极和所述雪崩光电二极管的阳极之间。

可选地，所述取样电阻的与所述雪崩光电二极管的阳极连接的一端为信号输出端。

与现有技术相比，本发明的有益效果如下：本申请通过采用恒流元件替换传统中使用的淬灭电阻，加快了淬灭恢复、提高了光计数率。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为现有技术中的被动淬灭电路；

图2为本申请实施例提供的一种被动淬灭电路。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请实施例提供了一种被动淬灭电路，通过将所述恒流元件替换传统电路中使用的淬灭电阻，从而解决现有技术中存在的淬灭恢复慢、死时间长、光计数率低的问题。

首选介绍一下被动淬灭电路的工作过程，所述过程分为两个阶段，分别是淬灭阶段和恢复阶段，具体过程如下：

淬灭阶段：未发生雪崩时，APD(雪崩光电二极管)处于开路状态，APD两端的电压等于电源电压(雪崩电压)，回路中无电流；当有光子到达APD致使其发生雪崩时，APD处于通路状态，回路中产生雪崩电流，随着雪崩电流的急剧增大，由于与其串联的淬灭元件的分压作用，所述APD两端的电压快速下降且低于雪崩电压，同时雪崩电流也快速下降直至淬灭，到此淬灭阶段结束，此时APD再次处于开路状态。