[发明专利]一种氮化硅陶瓷烧结的前处理方法、氮化硅陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 202011103898.7 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112209725B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 樊磊;高卡;丁云鹏;高阳;杨守磊;白中义;高前程;郭晓琴;张锐 | 申请（专利权）人： | 郑州航空工业管理学院 |
| 主分类号： | C04B35/622 | 分类号： | C04B35/622;C04B35/584 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 胡云飞 |
| 地址： | 450000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 陶瓷 烧结 处理 方法 及其 制备 | ||
1.一种氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，其特征在于，包括以下步骤：在烧结容器中，将氮化硅坯体包埋入氮化硅粉体中，然后在氮化硅粉体表面覆盖盖板，之后在盖板上平铺二氧化硅粉；所述盖板为惰性耐火陶瓷板；所述惰性耐火陶瓷板为氮化硅盖板。
2.根据权利要求1所述的氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，其特征在于，所述氮化硅粉的颗粒粒径为0.3~2μm。
3.根据权利要求1所述的氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，其特征在于，二氧化硅粉的颗粒粒径为10~100μm。
4.根据权利要求1所述的氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，其特征在于，所述氮化硅坯体四周氮化硅粉体的包埋厚度大于2cm。
5.根据权利要求1所述的氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，其特征在于，平铺二氧化硅粉后，在烧结容器开口部覆盖盖体。
6.根据权利要求1~4任一项所述的氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，其特征在于，所述二氧化硅粉的平铺高度大于5cm且低于烧结容器开口部。
7.一种氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（a）制备氮化硅陶瓷坯体；
（b）前处理：在烧结容器中，将氮化硅坯体包埋入氮化硅粉体中，然后在氮化硅粉体表面覆盖盖板，之后在盖板上平铺二氧化硅粉；所述盖板为惰性耐火陶瓷板；
（c）将烧结容器开口部覆盖盖体形成烧结体系，然后将烧结体系置于空气气氛中烧结；
所述惰性耐火陶瓷板为氮化硅盖板。
8.根据权利要求7所述的氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述氮化硅陶瓷坯体由以下质量百分比的原料制成：氮化硅 80~90%，氧化镁5~9%，氟化锂 1~3%，稀土氧化物 4~8%。
9.根据权利要求8所述的氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述稀土氧化物为Y2O3、Yb2O3、Sm2O3、Sc2O3、La2O3、CeO2、Nd2O3中的一种。
10.根据权利要求7~9任一项所述的氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，所述烧结的温度为1500~1650℃，时间为2~15h。
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