[发明专利]发光装置

说明书

本发明公开了一种发光装置，包括：封装基板，具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置有图案化导电层，该图案化导电层通过一间隔区至少分为两个彼此电性隔离的第一区域和第二区域；LED芯片，安装于图案化导电层上，具有相对的上表面、下表面，以及侧壁，所述下表面设置有第一电极和第二电极，其中第一电极电连接至所述第一区域，第二电极电连接至第二区域；封装层，覆盖所述LED芯片及所述基板的第一表面，所述封装层在所述LED芯片对应位置形成一曲面，所述封装层覆盖在所述图形化导电层的部分具有一平面，所述曲面与所述平面的交界处到所述LED芯片的侧壁的距离D为芯片厚度的1倍至2倍之间。

技术领域

本发明涉及LED封装技术领域，具体为一种发光装置。

背景技术

现有的常规深紫外LED封装结构，主要是采用陶瓷碗杯作为承载基板和石英玻璃封装罩体，具体为通过锡膏或者共晶焊的方式将倒装结构的紫外LED芯片120固晶在封装基板110的碗杯内，并使紫外LED芯片120的芯片电极和碗杯内的基板电极130键合固定，然后在碗杯的开口处固定一石英玻璃板140，以使碗杯内形成密闭的腔室，如图1所示。但是由于空腔，且陶瓷碗杯存有一定的厚度，因此封装结构存在着体积过大，且没有办法调整封装体的发光角及光强空间分布。

为了改变发光角度，通常会在出光面上增加一个石英玻璃透镜，如此进一步增加了封装体的厚度，且石英玻璃成本高。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种发光装置，该发光装置，包括：封装层，覆盖所述LED芯片及所述基板的第一表面，所述封装层在所述LED芯片对应位置形成一曲面，所述封装层覆盖在所述图形化导电层的部分具有一平面，所述曲面与所述平面的交界处到所述LED芯片的侧壁的距离D为LED芯片厚度的1倍至2倍之间。

上述发光装置的封装层对LED芯片的包覆性较好，避免发生破损或者断裂，影响器件的气密性，同时利于LED芯片的侧壁出光，提高发光装置的出光效率。

优选地，所述LED芯片的厚度为200μm-600μm。

优选地，所述封装层的厚度为100~400μm。

优选地，所述LED芯片的厚度为T₂₀，所述第一厚度T₃₁与所述LED芯片的厚度关系为：1.2T₂₀≥T₃₁≥0.5T₂₀，且0μm≤T₃₁-T₃₂≤50μm。

优选地，所述LED芯片的厚度为T₂₀，所述第一厚度T₃₁与所述LED芯片的厚度关系为：150μm≤T₃₁≤T₂₀，且0μm＜T₃₁-T₃₂≤100μm。

在一些实施例中，所述LED芯片厚度大于或者等于300μm，所述封装层在所述LED芯片正上方的厚度小于或者等于所述LED芯片的厚度。

在一些实施例中，所述LED芯片的厚度小于或者等于300μm，所述封装层在所述LED芯片正上方的厚度大于或者等于所述LED芯片厚度的0.5倍且小于或者等于所述LED芯片的厚度的1.2倍。

所述封装层在所述LED芯片正上方的厚度小于所述LED芯片的厚度，该封装层覆盖在所述LED芯片顶部的侧壁处具有一最小厚度T₃₄，T₃₄≥100μm。

优选地，所述封装层在所述LED芯片的外周边形成一个低部，在所述LED芯片正上形成高部，所述曲面包括第一曲面和第二曲面，其中第一曲面连接所述低部，所述第二曲面连接所述高部。进一步地，所述第一曲面位于所述LED芯片的侧壁对应的位置，所述第二曲面的起始端位于所述第一曲面的上方，末端位于所述LED芯片的上表面之上。