[发明专利]发光装置有效
申请号: | 202011104333.0 | 申请日: | 2020-10-15 |
公开(公告)号: | CN112382712B | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 刘健;林秋霞;黄森鹏;余长治;徐宸科 | 申请(专利权)人: | 泉州三安半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/54;H01L33/56;H01L33/58 |
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地址: | 362343 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
本发明公开了一种发光装置,包括:封装基板,具有相对的第一表面和第二表面,所述第一表面上设置有图案化导电层,该图案化导电层通过一间隔区至少分为两个彼此电性隔离的第一区域和第二区域;LED芯片,安装于图案化导电层上,具有相对的上表面、下表面,以及侧壁,所述下表面设置有第一电极和第二电极,其中第一电极电连接至所述第一区域,第二电极电连接至第二区域;封装层,覆盖所述LED芯片及所述基板的第一表面,所述封装层在所述LED芯片正上方的中心位置具有一第一厚度T31,在所述LED芯片边缘位置具有一第二厚度T32,在所述LED芯片的外周边形成的平坦区具有一第三厚度T33,T31、T32和T33的关系如下:400μm≥T33≥T31≥T32≥100μm,且0≤T33‑T31≤50μm。
技术领域
本发明涉及LED封装技术领域,具体为一种发光装置。
背景技术
现有的常规深紫外LED封装结构,主要是采用陶瓷碗杯作为承载基板和石英玻璃封装罩体,具体为通过锡膏或者共晶焊的方式将倒装结构的紫外LED芯片120固晶在封装基板110的碗杯内,并使紫外LED芯片120的芯片电极和碗杯内的基板电极130键合固定,然后在碗杯的开口处固定一石英玻璃板140,以使碗杯内形成密闭的腔室,如图1所示。但是由于空腔,且陶瓷碗杯存有一定的厚度,因此封装结构存在着体积过大,且没有办法调整封装体的发光角及光强空间分布。
为了改变发光角度,通常会在出光面上增加一个石英玻璃透镜,如此进一步增加了封装体的厚度,且石英玻璃成本高。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种发光装置。
在一些实施例中,一种发光装置,包括:封装基板,具有相对的第一表面和第二表面,所述第一表面上设置有图案化导电层,该图案化导电层通过一间隔区至少分为两个彼此电性隔离的第一区域和第二区域;LED芯片,安装于图案化导电层上,具有相对的上表面、下表面,以及侧壁,所述下表面设置有第一电极和第二电极,其中第一电极电连接至所述第一区域,第二电极电连接至第二区域;封装层,覆盖所述LED芯片及所述基板的第一表面,所述封装层在所述LED芯片正上方的中心位置具有一第一厚度T31,在所述LED芯片边缘位置具有一第二厚度T32,在所述LED芯片的外周边形成的平坦区具有一第三厚度T33,T31、T32和T33的关系如下:400μm≥T33≥T31≥T32≥100μm,且0≤T33-T31≤50μm。
上述发光装置在将LED芯片上方的封装层的厚度相对较薄,提高取光效率,而位于LED芯片外周的封装层的厚度可以具有相对较厚,增加封装层与基板的结合力,兼顾取光效率及器件的可靠性。封装膜层在LED芯片边缘的厚度T32为100μm以上,保证该封装层可以较好的包覆该LED芯片。进一步地,封装层覆盖在LED芯片中心的厚度与覆盖在远离LED芯片的基板上表面的边缘区的厚度差优选为50μm以下,可以减少封装层的应力,且对LED芯片的包覆性更佳。
优选地,所述LED芯片的厚度为200μm-600μm。
优选地,所述封装层在所述LED芯片对应装置形成一包含有曲面的光结构。进一步地,所述封装层覆盖在所述图形化导电层的部分具有一平面,所述曲面与所述平面的交界处到所述LED芯片的侧壁的距离D为芯片厚度的1-2倍。
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