[发明专利]半导体装置结构

说明书

本公开提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包括一第一鳍部结构及一第二鳍部结构，形成于一基底上方。半导体装置结构包括一第一栅极结构，形成于第一鳍部结构上方，且第一栅极结构包括一栅极介电层的第一部分及一填充层的第一部分。半导体装置结构还包括形成于第二鳍部结构上方的一第二栅极结构以及位于第一栅极结构与第二栅极结构之间的一第一隔离密封层。第一隔离密封层直接接触栅极介电层的第一部分与填充层的第一部分。

技术领域

本公开实施例涉及一种半导体技术，且尤其涉及一种半导体装置结构及其制造方法。

背景技术

半导体装置是使用于各种电子应用中，例如个人电脑、手机、数字相机及其他电子设备。半导体装置的制造通常通过在半导体基底上依序沉积绝缘或介电层、导电层及半导电层的材料，并使用光刻在各个材料层上图案化，以在其上形成电路部件及元件。通常在单一半导体晶圆上制造许多集成电路，且通过沿着切割道在集成电路之间进行切割来分割晶圆上的各个晶片。各个晶片通常可分别进行封装于多晶片模块内或其他类型的封装内。

随着半导体产业为了追求更高的装置密度，更高的性能及更低的成本而向纳米技术工艺世代发展，来自制造及设计问题的挑战造就了三维设计的发展。

尽管现有的半导体装置通常已经足以满足其预期目的，但其在所有方面并未完全令人满意。

发明内容

本公开的目的在于提供一种半导体装置结构，以解决上述至少一个问题。

在一些实施例中，一种半导体装置结构包括：一第一鳍部结构及一第二鳍部结构，形成于一基底上方，且第一鳍部结构包括于一垂直方向上堆叠的多个第一纳米结构，而第二鳍部结构包括于垂直方向上堆叠的多个第二纳米结构；第一栅极结构，形成于第一鳍部结构上方，且第一栅极结构包括一栅极介电层的一第一部分及一填充层的一第一部分；一第二栅极结构，形成于第二鳍部结构上方；以及一第一隔离密封层，位于第一栅极结构与第二栅极结构之间，第一隔离密封层直接接触栅极介电层的第一部分及填充层的第一部分。

在一些实施例中，一种半导体装置结构包括：一第一堆叠纳米结构及一第二堆叠纳米结构，形成于一基底上方；一第一栅极结构，形成于第一堆叠纳米结构上方；一第二栅极结构，形成于第二堆叠纳米结构上方；以及一第一隔离密封层，位于第一栅极结构与第二栅极结构之间，第一隔离密封层具有第一侧壁及第二侧壁，且第一侧壁直接接触第一栅极结构的至少两种不同的材料，而第二侧壁直接接触第二栅极结构的至少三种不同的材料。

在一些实施例中，一种半导体装置结构的制造方法包括：形成一虚置栅极结构于第一堆叠纳米结构及第二堆叠纳米结构上方；形成一内层介电(ILD)层，环绕虚置栅极结构；去除虚置栅极结构，以形成一沟槽；形成一栅极介电层及填充层于沟槽内；去除部分的填充层及部分的栅极介电层，以形成一开口；以及形成一第一隔离密封层于开口内，使得第一隔离密封层位于第一栅极结构与第二隔离结构之间，第一隔离密封层直接接触栅极介电层及填充层。

附图说明

图1A-图1K是绘示出根据本公开一些实施例的半导体装置结构于各个阶段的制造立体示意图。

图1I-1及图1I-2是绘示出根据本公开一些实施例的沿着图1I所示的AA’线及BB’线的半导体装置结构剖面示意图。

图1J-1及图1J-2是绘示出根据本公开一些实施例的沿着图1J所示的AA’线及BB’线的半导体装置结构剖面示意图。

图1K-1及图1K-2是绘示出根据本公开一些实施例的沿着图1K所示的AA’线及BB’线的半导体装置结构剖面示意图。

图2A-图2G是绘示出根据本公开一些实施例在图1J-1之后形成半导体装置结构于各个阶段的制造剖面示意图。

图2G’是绘示出根据本公开一些实施例的半导体装置结构剖面示意图。