[发明专利]充电电路有效
申请号: | 202011104718.7 | 申请日: | 2020-10-15 |
公开(公告)号: | CN111934404B | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 王本川 | 申请(专利权)人: | 北京思凌科半导体技术有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 | 代理人: | 贾会玲 |
地址: | 100029 北京市朝*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 充电 电路 | ||
1.一种充电电路,其特征在于,包括:恒压充电模块和恒流充电模块,其中,所述恒压充电模块与所述恒流充电模块相连;
所述恒压充电模块,用于获取待充电装置的当前电压大小,并确定所述待充电装置的当前电压是否小于参考电压,在确定所述当前电压小于所述参考电压的情况下,产生用于指示所述恒流充电模块对所述待充电装置进行恒流充电的控制指令;
所述恒流充电模块,用于响应于所述控制指令,根据恒定充电电流对所述待充电装置进行恒流充电;
所述恒压充电模块包括比较单元和分流支路,其中,所述比较单元和所述分流支路相连,所述分流支路与所述待充电装置并联;
所述比较单元为运算放大器,所述分流支路为第一N型MOS管;
其中,所述运算放大器的同相输入端连接所述待充电装置的电压输入端,以获取所述待充电装置的当前电压,所述运算放大器的反相输入端连接参考电压端,以获取所述待充电装置的参考电压;
所述第一N型MOS管的栅极与所述运算放大器的输出端相连,所述第一N型MOS管的漏极与所述恒流充电模块相连,所述第一N型MOS管的源极接地;
所述运算放大器,还用于在确定所述当前电压大于或等于所述参考电压的情况下,控制所述第一N型MOS管导通,以通过所述第一N型MOS管对所述恒定充电电流进行分流,其中,当所述第一N型MOS管导通时,所述第一N型MOS管流经的电流逐渐增大,直至增大至所述恒定充电电流时结束充电;
所述恒流充电模块,还用于根据分流后的充电电流对所述待充电装置进行恒压充电。
2.根据权利要求1所述的充电电路,其特征在于,所述运算放大器,用于确定所述待充电装置的当前电压是否小于所述参考电压,并在确定所述当前电压小于所述参考电压的情况下,控制所述第一N型MOS管断开,以由所述恒流充电模块根据所述恒定充电电流对所述待充电装置进行恒流充电。
3.根据权利要求1所述的充电电路,其特征在于,所述恒流充电模块包括:供电电源、电流偏置电路、第二N型MOS管、第三N型MOS管、第一P型MOS管和第二P型MOS管;
所述电流偏置电路的一端与所述供电电源相连,以产生所述恒定充电电流;
所述电流偏置电路的另一端分别与所述恒压充电模块、所述第二N型MOS管的漏极和栅极、以及所述第三N型MOS管的栅极相连;
所述第二N型MOS管的源极与所述第三N型MOS管的源极接地;
所述第三N型MOS管的漏极与所述第一P型MOS管的漏极和栅极、以及所述第二P型MOS管的栅极相连;
所述第一P型MOS管的源极和所述第二P型MOS管的源极均与所述供电电源相连;
所述第二P型MOS管的漏极与所述待充电装置相连,用于根据所述恒定充电电流对所述待充电装置进行恒流充电。
4.根据权利要求3所述的充电电路,其特征在于,在恒流充电阶段,所述待充电装置的目标充电电流为所述恒定充电电流与第一比例系数、第二比例系数的乘积,其中,所述第一比例系数为所述第三N型MOS管与第二N型MOS管的电流镜像比例系数,所述第二比例系数为所述第二P型MOS管与所述第一P型MOS管的电流镜像比例系数。
5.根据权利要求1所述的充电电路,其特征在于,所述充电电路还包括:电压反馈模块,所述电压反馈模块与所述恒压充电模块相连;
所述电压反馈模块,用于与所述待充电装置相连,以产生用于表征所述待充电装置的当前电压大小的电信号;
所述恒压充电模块,还用于根据所述电信号获取所述待充电装置的当前电压大小。
6.根据权利要求5所述的充电电路,其特征在于,所述电压反馈模块包括第一电阻、第二电阻和电压检测装置,其中,所述电压检测装置与所述恒压充电模块相连;
其中,所述第一电阻的一端与所述待充电装置相连,另一端与所述第二电阻的一端相连,所述第二电阻的另一端接地;
所述电压检测装置用于检测所述第一电阻和/或所述第二电阻的电压,并根据所检测到的电压大小确定所述待充电装置的当前电压大小,并产生用于表征所述待充电装置的当前电压大小的电信号。
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