[发明专利]发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，其特征在于，包括：

封装基板，具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置有图案化导电层，该图案化导电层通过一间隔区至少分为两个彼此电性隔离的第一区域和第二区域；

LED芯片，安装于图案化导电层上，具有相对的上表面、下表面，以及侧壁，所述下表面设置有第一电极和第二电极，其中第一电极电连接至所述第一区域，第二电极电连接至第二区域；

封装层，覆盖所述LED芯片及所述基板的第一表面，在所述LED芯片对应装置形成一包含有曲面的光结构，在导电层上形成一相对平坦的表面，所述该曲面与所述导电层上的表面的交界处靠近所述LED芯片的上表面或者与所述LED芯片的上表面齐平，或者略高出该LED芯片的上表面，所述封装层在所述LED芯片正上方的厚度大于或者等于所述LED芯片厚度的0.5倍且小于或者等于所述LED芯片的厚度的1.2倍。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述LED芯片的厚度为200μm至300μm。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述封装层覆盖在所述图案化 导电层的部分具有一平面，所述曲面与所述平面的交界处到所述LED芯片的侧壁的距离D为芯片厚度的1-2倍。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述封装层在所述LED芯片正上方的中心位置具有一第一厚度T₃₁，在所述LED芯片边缘位置具有一第二厚度T₃₂，在所述LED芯片的外周边形成的平坦区具有第三厚度T₃₃，T₃₁、T₃₂和T₃₃的关系如下：400μm≥T₃₃≥T₃₁≥T₃₂≥100μm。

5.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于：0≤T₃₃-T₃₁≤50μm。

6.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于：所述LED芯片的厚度为T₂₀，所述第一厚度T₃₁与所述LED芯片的厚度关系为：1.2T₂₀≥T₃₁≥0.5T₂₀，且0μm≤T₃₁-T₃₂≤50μm。

7.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述LED芯片的发光波长为285nm以下，所述封装层包含含氟材料。

8.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述发光装置在法向量方向具有最大的光强。

9.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述LED芯片为一倒装型芯片，包含半导体发光叠层及位于同一侧的第一电极和第二电极，其中第一电极与所述图案化导电层的第一区域电连接，第二电极与所述图案化导电层的第二区域电连接。