[发明专利]一种半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基板；

导线层，位于所述基板上；

介质层，位于所述导线层上；

第一沟槽，位于所述介质层中，所述第一沟槽的底端连接所述导线层，所述第一沟槽的侧壁具有倾斜角度；

第二沟槽，位于所述第一沟槽上，所述第二沟槽与所述第一沟槽连通，所述第二沟槽的顶端开口的口径大于所述第一沟槽的顶端开口的口径；

阻挡层，位于所述介质层和所述导线层上；

金属层，位于所述阻挡层上，且所述金属层位于所述第一沟槽和所述第二沟槽内；

多个保护层，位于所述金属层上；

凹口，位于所述多个保护层中，且所述凹口位于所述金属层中；

其中，所述凹口的形状为抛物线状，所述凹口顶端的坡度小于所述凹口底端的坡度，所述凹口的深宽比为1～1.17；

其中，所述第二沟槽的侧壁为弧形，所述弧形的曲率半径为4000～5000埃。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基板为晶圆，或者为包含有元件或电路的半导体结构。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二沟槽的侧壁为凹型弧。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一沟槽的底端与所述凹口的底端之间的垂直距离为10150～10500埃。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，位于所述第一沟槽和所述第二沟槽之外的所述金属层的厚度为13000-14500埃。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层包括：

防扩散层，位于所述导线层上；以及

氧化硅层，位于所述防扩散层上。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为8000-20000埃。

8.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，至少包括如下步骤：

提供一基板；

形成导线层于所述基板上；

形成介质层于所述导线层上；

形成第一沟槽和第二沟槽于所述介质层中，所述第一沟槽的底端连接所述导线层，所述第一沟槽的侧壁具有倾斜角度；

形成阻挡层于所述介质层和所述导线层上；

形成金属层于所述阻挡层上、所述第一沟槽和所述第二沟槽内；

形成多个保护层于所述金属层上；

形成凹口于所述多个保护层中和所述金属层中；

其中，所述第二沟槽与所述第一沟槽连通，所述第二沟槽的顶端开口的口径大于所述第一沟槽的顶端开口的口径；

其中，所述凹口的形状为抛物线状，所述凹口的深宽比为1～1.17；

其中，所述第二沟槽的侧壁为弧形，所述弧形的曲率半径为4000～5000埃。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，形成所述第一沟槽和第二沟槽于所述介质层上的步骤包括：

形成沟槽于所述介质层中；

形成沟槽光阻层于所述沟槽内，所述沟槽光阻层的厚度为所述沟槽深度的1/2～2/3；

形成图案化的光阻层于所述沟槽上；

刻蚀所述沟槽，并以所述沟槽内的所述沟槽光阻层为停止层，形成侧壁为弧形的所述第二沟槽；

移除所述沟槽内的所述沟槽光阻层，形成所述第一沟槽。