[发明专利]一种一次成型烧结铝基石榴石型发光陶瓷的制备技术在审
| 申请号： | 202011106510.9 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112209714A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 刘全生;李欣;张希艳;柏朝晖;孙海鹰;王能利;王晓春;米晓云;卢利平 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/505 | 分类号： | C04B35/505;C04B35/622;C04B35/63;C04B35/645;C09K11/77 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 一次 成型 烧结 基石 榴石型 发光 陶瓷 制备 技术 | ||
【权利要求书】：
1.一种一次成型烧结铝基石榴石型发光陶瓷的制备技术，其特征在于：包含以下步骤是：
A、按照比例分别称取Y2O3、Al2O3、CeO2粉体，加入烧结助剂；
B、将粉体球磨，充分混合后加入石墨模具中压实放入真空热压炉中；
C、调节控制热压炉烧结温度和时间，设置梯度升温、降温；
D、两次退火，空气中一次退火，还原气氛下二次退火得到致密性良好的石榴石型黄色发光陶瓷。
2.根据权利要求1，一次成型烧结铝基石榴石型发光陶瓷的制备技术，其特征在于：所述A中烧结助剂为MgO、SiO2、B2O3、TEOS粉体。
3.根据权利要求1，一次成型烧结铝基石榴石型发光陶瓷的制备技术，其特征在于：所述B中真空热压炉的极限真空度≤8×10-4Pa。
4.根据权利要求1，一次成型烧结铝基石榴石型发光陶瓷的制备技术，其特征在于：所述C中烧结条件以10℃/min升温至1000℃，以6℃/min升温至1625～1750℃，保温3～5h，以5℃/min降温至1200℃后随炉冷却。
5.根据权利要求1，一次成型烧结铝基石榴石型发光陶瓷的制备技术，其特征在于：所述D中一次退火条件为1250～1550℃，保温10h，二次退火为双坩埚碳还原气氛，升温至1250℃，保温4h。
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